化学气相沉积（CVD）是一种用途广泛的薄膜沉积技术，能够用各种材料制作涂层。该工艺可以沉积金属、半导体、陶瓷和复杂的纳米结构，并能精确控制成分和微观结构。这些功能使 CVD 成为从半导体到航空航天等对材料特性（如硬度、热稳定性和电气特性）要求极高的行业不可或缺的技术。
要点说明：
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金属和合金
- CVD 沉积纯金属（钨、铜）和具有可控化学计量的合金
- 应用：半导体互连、扩散屏障、耐磨涂层
- 实例：用于切削工具的氮化钛 (TiN) 涂层用于切削工具的氮化钛 (TiN) 涂层，通过 (机床）的氮化钛（TiN
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半导体
- 各种晶体/非晶形态的硅（Si）
- 用于电力电子设备的化合物半导体（氮化镓、碳化硅
- 用于器件制造的掺杂层（原位磷/硼掺杂
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陶瓷化合物
- 碳化物:用于极端环境的碳化硅 (SiC)
- 氮化物:用于热管理的氮化铝 (AlN)
- 氧化物:用于摩擦学的具有 κ/α 相控制的 Al₂O₃ 涂层
- 硼化物:ZrB₂ 等超高温材料
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碳基材料
- 用于热扩散器的金刚石薄膜
- 用于生物医学植入物的类金刚石碳 (DLC)
- 通过受控热解产生纳米结构（纳米管、石墨烯
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绝缘薄膜
- 用于绝缘层的二氧化硅 (SiO₂)
- 用于钝化的氮化硅 (Si₃N₄)
- 用于高级互连的低介电材料 (SiOF)
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复杂结构
- 核壳纳米线（如硅/锗异质结构）
- 用于催化应用的多孔涂层
- 原子级精度的多层堆积（超晶格
选择热 CVD、等离子体增强（PECVD）或其他变体取决于材料的分解温度和所需的薄膜质量。这种灵活性使 CVD 能够满足微加工、保护涂层和功能纳米材料方面不断变化的需求。
汇总表：
| 材料类别 | 实例 | 主要应用 |
|---|---|---|
| 金属与合金 | 钨、TiN | 半导体互连器件、工具涂层 |
| 半导体 | 硅、氮化镓、碳化硅 | 电力电子、设备制造 |
| 陶瓷化合物 | SiC、AlN、Al₂O₃ | 极端环境、热管理 |
| 碳基材料 | 金刚石薄膜、石墨烯 | 散热器、生物医学植入物 |
| 介质薄膜 | SiO₂, Si₃N₄ | 绝缘层、钝化 |
| 复杂结构 | 核壳纳米线、超晶格 | 催化应用、精密涂层 |
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