产品 High Temperature Furnaces CVD & PECVD Furnace 滑轨式 PECVD 管式炉(带液体汽化器 PECVD 机)
滑轨式 PECVD 管式炉(带液体汽化器 PECVD 机)

CVD & PECVD Furnace

滑轨式 PECVD 管式炉(带液体汽化器 PECVD 机)

货号 : KT-PE12

价格根据 规格和定制情况变动


最高温度
1200℃
射频等离子体输出功率
5-500W
额定真空压力
10Pa~6x10-4Pa
ISO & CE icon

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开启精密薄膜沉积新篇章

带液体汽化器的 KINTEK 滑轨式 PECVD 管式炉是一款专为多功能、高性能薄膜沉积而设计的先进系统。为了满足现代研究和生产的严苛需求,它集成了 500W 射频等离子体源、创新的滑轨式炉体(可实现快速热循环)、精密的气体流量控制以及强大的真空站。无论是用于电子、半导体、光学还是先进材料科学,该系统都能提供卓越的结果和可靠性。在 KINTEK,我们利用卓越的研发专长和内部制造能力,提供此类先进的电炉解决方案,并提供强大的深度定制服务,以精确满足您独特的实验要求。

主要特点与优势

带液体汽化器的滑轨式 PECVD 管式炉 PECVD 机具有众多优势,可提升您的研究和生产效率:

  • 增强功率输出: 创新的石墨舟结构显著提高了太阳能电池片的功率输出。
  • 均匀的电池质量: 有效消除管式 PECVD 电池的色差,确保结果的一致性。
  • 多功能射频等离子体源: 配备自动匹配射频等离子体源,输出功率范围广(5-500W),在各种应用中表现稳定且适应性强。
  • 快速热循环: 炉腔滑动系统可实现高速加热和冷却,显著缩短处理时间。辅助强制空气循环进一步加快了冷却速度。
  • 自动化操作: 可选的自动化滑动装置提高了效率,减少了人工干预,简化了工作流程。
  • 精密温度管理: PID 可编程温度控制确保精确的温度调节。支持远程和集中控制,增加了便利性和操作灵活性。
  • 精确气体控制: 高精度 MFC 质量流量计精确控制源气体,确保稳定、一致且预混合的气体供应。
  • 高性能真空系统: 带有多个适配接口的不锈钢真空法兰可容纳各种真空泵站配置,确保高真空度和可靠的密封。
  • 用户友好界面: 配备 CTF Pro 7 英寸 TFT 触摸屏控制器,简化了程序设置和操作,并允许轻松分析历史数据。

广泛的应用领域

带液体汽化器的滑轨式 PECVD 管式炉 PECVD 机是多种应用的理想选择,包括:

  • 化学气相沉积 (CVD)
  • 等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)
  • 各种材料的薄膜沉积
  • 太阳能电池制造与研究
  • 半导体工艺
  • 纳米技术研发
  • 先进材料科学研究
  • 受控气氛下的常规研发

探索我们的系统配置

KINTEK 提供各种 CVD 系统设置以满足不同的实验需求。以下是可用配置的示例:

PECVD front

PECVD side

PECVD side

工作原理

带液体汽化器的滑轨式 PECVD 管式炉 PECVD 机利用低温等离子体在工艺腔室的阴极(样品托盘)产生辉光放电。辉光放电(或其他热源)将样品的温度升高到预定水平。然后,引入受控量的工艺气体,进行化学和等离子体反应,在样品表面形成固体薄膜。

内置安全优势

  • 过流和过温保护: 电炉配备过流保护和过温报警功能,如果超过限制,将自动切断电源。
  • 热电偶故障检测: 内置热电偶检测功能,如果检测到热电偶断裂或失效,将停止加热并触发报警,防止失控加热。
  • 断电重启功能: PE Pro 控制器支持断电重启功能,允许电炉在断电恢复后自动恢复其加热程序。

技术规格

电炉型号 KT-PE12-60
最高温度 1200℃
恒定工作温度 1100℃
炉管材料 高纯石英
炉管直径 60mm
加热区长度 1x450mm
炉膛材料 日本氧化铝纤维
加热元件 Cr2Al2Mo2 电阻丝线圈
加热速率 0-20℃/min
热电偶 内置 K 型
温度控制器 数字 PID 控制器/触摸屏 PID 控制器
控温精度 ±1℃
滑动距离 600mm
射频等离子体单元
输出功率 5 -500W 可调,稳定性 ± 1%
射频频率 13.56 MHz ±0.005% 稳定性
反射功率 最大 350W
匹配方式 自动
噪音 < 50dB
冷却方式 风冷
气体精密控制单元
流量计 MFC 质量流量计
气体通道 4 通道
流量速率 MFC1: 0-5SCCM O2
MFC2: 0-20SCMCH4
MFC3: 0- 100SCCM H2
MFC4: 0-500 SCCM N2
线性度 ±0.5% F.S.
重复性 ±0.2% F.S.
管路与阀门 不锈钢
最大工作压力 0.45MPa
流量计控制器 数字旋钮控制器/触摸屏控制器
标准真空单元(可选)
真空泵 旋片式真空泵
泵抽速 4L/S
真空吸入口 KF25
真空计 皮拉尼/电阻硅真空计
额定真空度 10Pa
高真空单元(可选)
真空泵 旋片泵+分子泵
泵抽速 4L/S+110L/S
真空吸入口 KF25
真空计 复合真空计
额定真空度 6x10-4Pa
以上规格和设置均可定制

标准配置清单

编号 描述 数量
1 电炉 1
2 石英管 1
3 真空法兰 2
4 炉管隔热块 2
5 炉管隔热块钩 1
6 耐热手套 1
7 射频等离子体源 1
8 精密气体控制 1
9 真空单元 1
10 操作手册 1

定制与可选配置

在 KINTEK,我们以强大的深度定制能力为荣。我们可以定制滑轨式 PECVD 管式炉,以精确满足您独特的实验要求。可用的可选配置包括:

  • 管内气体检测与监测(例如 H2、O2)
  • 独立的电炉温度监测和记录系统
  • 用于 PC 远程控制和数据导出的 RS 485 通讯端口
  • 定制的气体进料流量控制(质量流量计或浮子流量计)
  • 具有多种操作友好功能的高级触摸屏温度控制器
  • 各种高真空泵站设置(例如旋片真空泵、分子泵、扩散泵)

选择 KINTEK,满足您先进的电炉需求

KINTEK 的滑轨式 PECVD 管式炉专为适应性和高性能而设计。我们深知您的研究是独一无二的。利用我们强大的深度定制能力,根据您的确切规格定制该系统。无论您需要不同的温度范围、特定的气体配置、先进的控制功能还是独特的真空设置,我们的专家团队随时准备为您提供帮助。

准备好提升您的研究或生产水平了吗?与我们的专家讨论您的需求并获取个性化报价。填写我们的联系表单,我们的一位专家将很快与您联系,帮助您配置完美的 PECVD 解决方案!

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FAQ

MPCVD 设备的原理是什么?

微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备通过使用微波发生器电离混合气体来产生等离子体。该等离子体被置于低压下的反应室中,基底由基底支架固定。主要组件包括微波发生器、等离子体室、气体输送系统、基底支架和真空系统。

什么是管式炉及其工作原理?

管式炉是一种通过热源产生热量并通过炉管将热量传递给工件或介质的加热装置。它能提供稳定、均匀的加热,适用于各种工业应用。温度控制系统使用热电偶或其他传感器监测炉温,并将信号反馈给控制器,控制器会调节加热元件的功率输出,以保持精确的温度控制。

多区管式炉的主要应用有哪些?

多区管式炉用于各种商业和研究应用,包括半导体和电池生产、热电偶和矿物绝缘电缆制造、真空钎焊和热处理、真空固化和烧结、水/废水/土壤测试、航空陶瓷和金属测试、油气分析、固体氧化物燃料电池以及聚合物复合材料/石墨烯生产。它们还可用于金属热处理(淬火、回火、退火)、焊接预热、陶瓷/粉末冶金烧结、涂层处理和材料研究实验。

CVD 设备的原理是什么?

化学气相沉积(CVD)的原理是将含有薄膜元素和其他必要气体的气态或液态反应物的蒸汽引入反应室。通过提高温度、等离子体作用、光辐射或其他方式施加能量,在基底表面发生化学反应,生成新的固体物质,沉积成薄膜。CVD 炉的工作原理是将前驱气体引入炉腔,高温使这些气体在基底表面附近发生反应或分解。所需的材料以固体薄膜的形式沉积在基底上,而副产品和未使用的气体则通过排气或真空系统排出。

分管炉的常见应用有哪些?

分管炉通常用于材料测试(如拉伸测试)、有机材料热解、用于薄膜沉积的化学气相沉积 (CVD)、含碳材料的石墨化以及陶瓷烧结。这些应用都得益于分管炉精确的温度控制和简便的样品处理。

什么是立式管式炉?

立式管式炉是一种高温加热设备,设计成垂直方向,可提供精确的温度控制、均匀的加热和高效的能源利用。其垂直设计可节省空间,特别适用于需要垂直设置的工艺。

使用 MPCVD 设备有哪些优势?

MPCVD 设备具有以下几个优点:消除了热丝(非极性放电)的污染,允许使用多种气体,提供稳定的反应温度控制,实现大面积稳定放电等离子体,并提供对薄膜厚度、纯度和晶体质量的精确控制。此外,它们还能生产大面积金刚石薄膜,确保条件稳定,保持样品质量一致,而且成本效益高。

管式炉的主要应用有哪些?

管式炉广泛用于真空或大气条件下的气淬试验、热处理应用(包括合成和提纯)、氧化、扩散、煅烧以及无机或有机化合物的热退火。它们还可用于需要控制加热和冷却速度的材料测试、热加工和化学反应。立式管式炉尤其适用于需要将样品从顶部投入炉内的工艺。

多区管式炉有哪些主要特点?

主要特点包括1) 灵活的退火和化学气相沉积功能;2) 可容纳最大 60 毫米(2 英寸)的样品;3) 内置歧管,便于气体输送;4) 具有自然温度梯度,两端较冷,中间加热均匀;5) 可适应各种气体或真空条件;6) 多个独立控制的加热区,可实现精确的温度曲线。

使用 CVD 机器有哪些优势?

CVD 具有高纯度、均匀性和一致性的特点,因此适用于复杂几何形状的镀膜。它可用于半导体、航空航天和生物医学等行业。与 PVD 不同的是,CVD 不局限于视线范围内的应用,涂层在反应过程中与表面结合,从而产生优异的附着力。

分管炉有哪些主要特点?

分管炉通常提供 1、2、3 或 5 个加热区,加热长度为 200-600mm,加热直径为 40-100mm。它包括双层强制空气冷却装置,以确保安全的外壳温度,并使用加热线圈作为加热源,最高温度可达 1200°C。分体式窑炉的设计是将圆柱形管纵向分开,通常分为两半,用铰链连接,并配备气动阻尼支柱,以确保平稳运行。

立式管式炉有哪些应用?

立式管式炉广泛用于需要控制加热和冷却速度的材料测试、热加工和化学反应。它们还用于化学工程中的合成树脂、橡胶、油漆和染料生产;食品工业中的烘烤、干燥和灭菌;以及冶金业中的熔炼、熔化和热处理过程。

MPCVD 设备有哪些主要应用?

MPCVD 设备主要用于实验室生长的高纯度金刚石合成,包括金刚石薄膜和其他先进材料。由于其能够精确控制生产高质量、均匀的薄膜,其应用领域扩展到半导体研究、光学和微机电系统(MEMS)。

使用管式炉有哪些优势?

管式炉具有技术成熟、炉体结构简单、能耗低、热效率高、操作和控制简便、可连续生产、温度控制精确、温度分布均匀、适应不同气氛等优点。此外,它们还能获得更高的产品产量、更高的产品浓度,并能回收大部分裂解气和烟气。可将多个炉子组合起来进行大规模生产。

多区管式炉如何工作?

多区管式炉的工作原理是1) 通过多个独立控制的加热元件产生热量;2) 通过炉管将热量均匀地传递给工件;3) 形成精确的温度梯度(用于 CVD 薄膜生长等过程)或扩展的恒温区(当多个区设置为相同温度时);以及 4) 保持适合各种工业过程的稳定加热条件。

CVD 机器有哪些应用?

CVD 应用广泛,包括半导体器件生产(如氮化硅绝缘层)、光学涂层、保护涂层以及石墨烯和碳纳米管等具有独特电气、热和机械特性的先进材料。它还可用于以传统技术无法实现的方式沉积保形薄膜和修饰基底表面。其应用包括原子层沉积、集成电路、光伏设备、耐磨涂层、具有特殊性能的聚合物涂层、用于气体传感的金属有机框架以及用于水处理的膜涂层。

分管炉如何工作?

分管炉的工作原理是通过加热线圈产生热量,然后将热量传递给炉管内的工件或介质。这一过程可确保稳定、均匀的加热,因此适用于各种工业和实验室应用。该炉可配置多个加热区,并具有强制空气冷却等功能,以保持安全的外部温度。

立式管式炉有哪些优势?

立式管式炉具有多种优势,包括与卧式炉相比占地面积更小,非常适合空间有限的实验室。它们还具有高效节能、温度控制精确、使用灵活、操作简便、安全可靠以及符合环保标准等优点。

MPCVD 设备有哪些主要组件?

MPCVD 设备的主要组件包括微波发生器(用于产生等离子体)、反应室(用于在低压下容纳基底和混合气体)、基底支架(用于在沉积过程中固定基底)、气体输送系统(用于引入和控制混合气体)和真空系统(用于维持必要的低压环境)。

管式炉有哪些类型?

管式炉有多种类型,包括实验室石英管式炉、分体式多加热区旋转管式炉、多区管式炉、高温管式炉(高达 1700°C)、用于薄膜沉积的 PECVD 管式炉、真空管式炉和立式管式炉。这些管式炉具有不同的功能,如快速加热、可调倾斜、360° 旋转、可定制的加热区和真空准备状态,以适应不同的应用。

使用多区管式炉有哪些优势?

优点包括1) 技术成熟可靠,炉体结构简单;2) 能耗低,热效率高;3) 操作简便,控制精确;4) 能够连续生产;5) 能够创建扩展的均匀加热区或精确的温度梯度;6) 化学工艺中的产品产量更高;7) 能够回收工艺气体;8)广泛的原料适用性,以及 9) 通过炉子组合实现大规模生产的可扩展性。

CVD 设备有哪些主要特点?

CVD 炉的主要特点包括:高温能力(通常从 200°C 到 1500°C 以上)、精确的气流控制、气氛控制(真空、大气压或低压环境)、均匀加热以实现均匀的薄膜沉积,以及高效的排气系统以清除副产品和未反应气体。CVD 涂层工艺的主要特点包括在高温下应用以促进反应,通常在真空条件下进行。涂层前必须清除零件表面的污染物。

使用分体式管式炉有哪些优势?

分体式管式炉的主要优点包括简化样品或设备的装卸、减少停机时间和提高效率。分体式设计允许快速进入炉膛,这对于需要频繁更换或复杂实验设置的应用尤其有利。此外,气动阻尼支柱和多加热区等功能进一步提高了可用性和性能。

立式管式炉如何工作?

立式管式炉通过热源产生热量,并通过炉管将热量传递给被加热的工件或介质。这一过程可确保稳定、均匀的加热,因此适用于各种工业应用。

MPCVD 设备如何提高能效?

MPCVD 设备采用无电极工艺,可减少污染和能量损失,从而提高能源效率。微波等离子体生成效率高,系统的模块化和可扩展设计可优化各种工业应用中的能源使用。

管式炉可以达到哪些温度范围?

管式炉有各种温度范围可供选择,以适应不同的应用。标准炉型的温度通常最高可达 1200°C,而高温炉型的温度可达 1400°C 至 1700°C。一些专用炉型甚至可以达到 2000°C。温度能力取决于所使用的加热元件和炉管材料(如石英或氧化铝)。

有哪些类型的多区管式炉?

现有类型包括1) 分离式多加热区旋转管式炉(具有倾斜和旋转功能);2) 实验室石英管式炉(最高 1700°C,1-10 区);3) 快速热处理 (RTP) 炉,加热速度快;4) 用于化学气相沉积的 CVD 管式炉;5) 用于等离子增强工艺的 PECVD 炉;6) 真空管式炉;7) 高压管式炉。这些管式炉有各种配置,可定制区数、温度范围以及真空/大气控制等特殊功能。

有哪些类型的 CVD 设备?

CVD 机器有多种类型,包括用于实验室金刚石生长的圆柱形谐振器 MPCVD 机器系统、用于化学气相沉积的定制多功能 CVD 管式炉、带液体气化器的滑动 PECVD 管式炉、真空热压炉机器、倾斜旋转等离子体增强化学沉积 (PECVD) 管式炉、带真空站的分室 CVD 管式炉,以及用于射频等离子体增强化学气相沉积的射频 PECVD 系统。每种类型都专为特定应用而设计,并具有独特的功能。

分管炉可以达到什么温度?

分管炉的最高温度可达 1200°C,适合材料合成、CVD 和烧结等高温应用。该炉使用加热线圈作为热源,并包括双层强制空气冷却装置,以在运行期间保持安全的外部温度。

有哪些类型的立式管式炉?

立式管式炉有多种类型,包括具有单个或多个加热区、快速热处理 (RTP) 功能、真空站和满足特定实验室需求的定制解决方案,如 CVD(化学气相沉积)和 PECVD(等离子体增强化学气相沉积)。

为什么 MPCVD 是金刚石生长的首选?

MPCVD 是金刚石生长的首选方法,因为它能提供高密度的带电粒子和活性物质,能在较低的压力下沉积大面积的金刚石薄膜,并能确保所生长的薄膜具有更好的均匀性。这些特点可生产出高纯度、高质量的金刚石,并能精确控制其特性。

管式炉能否在不同气氛下运行?

是的,管式炉用途广泛,可在各种气氛下工作,包括空气、惰性气体(如氩气或氮气)、真空和特殊混合气体。这使它们适用于各种工艺,包括氧化、还原、退火和化学气相沉积 (CVD)。许多炉型都配有真空就绪设计和气体控制系统,可实现精确的气氛管理。

为什么分体式设计有利于管式炉?

管式炉采用分体式设计的好处在于可以快速方便地进入炉膛。这种设计通常采用带有气动阻尼支杆的两个铰链式半炉膛,简化了复杂设置或大型样品的处理,减少了操作停机时间,并提高了整体效率,特别是在需要频繁更换或复杂配置的应用中。

为什么选择立式管式炉而不是卧式管式炉?

选择立式管式炉而不是卧式管式炉,主要是考虑到其节省空间的设计和利用重力辅助工艺的能力。垂直设置有助于热量和材料的均匀分布,使其成为特定实验或制造工艺的理想选择。

是什么让 KINTEK 管式炉与众不同?

KINTEK 管式炉因其精确的温度控制(某些型号可提供高达 100°C/sec 的快速加热)、可定制的加热区(1 至 10 区)、真空就绪设计和安全认证而脱颖而出。它们为材料合成、CVD、烧结和半导体研究等先进应用提供多功能解决方案,并提供旋转机构、分室和等离子增强配置等选项。

立式管式炉可以达到哪些温度范围?

立式管式炉可以达到很高的温度,通常可高达 1800°C,具体取决于型号和配置。它们专为精密加热而设计,可根据各种应用的特定温度要求进行定制。

垂直管式炉是否可以定制?

是的,立式管式炉可高度定制。它们可以定制多种功能,如多个加热区、快速加热功能、真空系统和特定气氛控制,以满足不同研究和工业应用的独特需求。
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产品资料

滑轨式 PECVD 管式炉(带液体汽化器 PECVD 机)

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