CVD & PECVD Furnace
射频 PECVD 系统 射频等离子体增强化学气相沉积技术
货号 : KT-RFPE
价格根据 规格和定制情况变动
- 射频功率
- 0-2000W
- 极限真空
- 2×10-4 Pa
- 真空室尺寸
- Ф420 毫米 × 400 毫米
运输:
联系我们 获取运输详情 享受 准时发货保证.
视觉展示：射频 PECVD 系统详解
利用 KINTEK 射频 PECVD 系统实现精密薄膜沉积
KINTEK 的射频等离子体增强化学气相沉积（RF PECVD）系统使各种实验室能够实现最先进的薄膜沉积。这种多功能技术利用等离子体精确沉积各种材料，包括金属、电介质和半导体，并对薄膜厚度、成分和形态进行出色的控制。利用我们卓越的研发和内部制造能力，我们可根据您独特的实验要求提供先进的射频 PECVD 解决方案。
射频 PECVD 的主要应用
射频 PECVD 是薄膜沉积领域的一项革命性技术，广泛应用于各行各业，包括
- 制造光学元件和设备
- 半导体器件制造
- 生产保护涂层
- 微电子和微机电系统的开发
- 合成新型材料
体验无与伦比的控制和效率
我们的射频 PECVD 系统旨在最大限度地提高您的研究成果和生产效率：
主要特点
- 自动化操作： 通过一键式镀膜、工艺存储和检索简化您的工作流程，从而获得一致、可重复的结果。
- 智能控制： 全面的过程操作记录、主动报警功能和精确的信号/阀门切换可优化沉积周期。
- 性能可靠： 强大的系统设计，包括高集成度真空室、高效的抽气系统、稳定的射频源和精密的气体混合系统，确保长期可靠运行。
核心优势
- 卓越的薄膜质量： 实现高质量薄膜沉积，即使在低温条件下也适用于对温度敏感的基底。
- 精度和均匀性： 可精确控制薄膜厚度和成分，在复杂的几何形状上实现均匀、保形沉积，并从中获益。
- 清洁高效的加工： 体验低颗粒污染和高纯度薄膜。我们的系统设计为环保型工艺，有害废物产生量极少。
- 可扩展的解决方案： KINTEK 的射频 PECVD 系统既适用于高级研究，也适用于可扩展、经济高效的大批量生产。
稳健的系统设计实现最佳性能
我们的射频 PECVD 系统经过精心设计，包括高真空室、高效真空泵系统、精确控制的阴极和阳极靶、稳定的射频电源、先进的充气式气体混合系统以及用户友好型计算机控制柜系统。这种集成式设计可实现无缝一键镀膜、过程存储和检索、报警功能、信号和阀门切换、全面的过程操作记录，以及在锗和硅基底上可靠地沉积高质量薄膜，例如用于 3-12µm 红外波长范围的类金刚石碳 (DLC) 薄膜。
技术规格
主要设备部件
| 设备形式 |
|
| 真空室 |
|
| 主机骨架 |
|
| 水冷系统 |
|
| 控制柜 |
|
真空系统
| 极限真空 |
|
| 恢复真空时间 |
|
| 压力上升率 |
|
| 真空系统配置 |
|
| 真空系统测量 |
|
| 真空系统操作 |
有真空手动和真空自动选择两种模式；
|
| 真空测试 |
|
加热系统
- 加热方式：碘钨灯加热方式；
- 功率调节器：数字功率调节器；
- 加热温度：最高温度 200°C，功率 2000W/220V，可控可调显示，±2°C 控制；
- 连接方式：快插快取，金属屏蔽罩防污，电源隔离，确保人员安全。
RF 射频电源
- 频率：射频频率 13.56MHZ；
- 功率：0-2000W 连续可调；
- 功能：全自动阻抗匹配功能调节，全自动调节以保持极低的工作反射功能，内部反射在 0.5% 以内，具有手动和自动转换调节功能；
- 显示：带偏置电压、CT 电容位置、RT 电容位置、设定功率、反射功能显示，带通信功能，可与触摸屏通信，在组态软件上设置和显示参数，调谐线显示等。
阴极阳极靶
- 阳极靶：采用φ300mm 铜基板作为阴极靶，工作时温度低，无需冷却水；
- 阴极靶：φ200mm 铜制水冷阴极靶，工作时温度较高，内部为冷却水，确保工作时温度一致，阳极与阴极靶的最大距离为 100-250mm。
充气控制
- 流量计：采用英国四通流量计，流量为 0-200SCCM，带压力显示，通讯设置参数，可设置气体种类；
- 截止阀：启明星华创 DJ2C-VUG6 截止阀，与流量计配合，混合气体，通过环形充气装置充入腔体，均匀流经靶面；
- 前级储气瓶：主要是冲洗转换瓶，将 C4H10 液体气化后，进入流量计的前级管道。储气瓶内有压力数显 DSP 仪表，进行超压、低压报警提示；
- 混合气体缓冲瓶：缓冲瓶在后级与四种气体混合。混合后从缓冲瓶一路输出到腔体底部，一路输出到顶部，其中一路可独立关闭；
- 充气装置：腔体气路出口处的均匀气体管道，均匀地向目标表面充气，使涂层均匀性更好。
控制系统
- 触摸屏：以 TPC1570GI 触摸屏为主机 + 键盘和鼠标；
- 控制软件：表格式工艺参数设置、报警参数显示、真空参数显示和曲线显示、射频电源和直流直流电源参数设置和显示、所有阀门和开关工作状态记录、工艺记录、报警记录、真空记录参数，可保存半年左右，整套设备的工艺操作在 1 秒钟内保存参数；
- PLC：欧姆龙 PLC 作为下位机，采集各种元器件和在位开关、控制阀及各种元器件的数据，通过组态软件进行数据交互、显示和控制。这样更加安全可靠；
- 控制状态：一键镀膜、自动抽真空、自动恒真空、自动加热、自动多层工艺沉积、自动完成取件等工作；
- 触摸屏优点：触摸屏控制软件不可更改，操作稳定更方便灵活，但存储数据量有限，参数可直接导出，工艺出现问题时可直接导出；
- 报警：采用声光报警方式，并将报警记录在组态报警参数库中。今后可随时查询，保存的数据可随时查询调用。
恒定真空
- 蝶阀恒真空：DN80 蝶阀与 Inficon CDG025 电容式薄膜规配合可实现恒真空工作，缺点是阀口易污染，清洗困难；
- 阀门位置模式：设置位置控制模式。
水、电、气
- 主进水管和出水管均由不锈钢制成，并配有应急进水口；
- 真空室外所有水冷管均采用不锈钢快换固定接头和塑料高压水管（优质水管，可长期使用不漏水、不断裂），进出水口塑料高压水管应显示两种不同颜色，并有相应标识；品牌为 Airtek；
- 真空室内部的所有水冷管均由优质 SUS304 材料制成；
- 水路和气路分别安装安全可靠、高精度显示的水压和气压仪表。
- 配备 8P 冷水机，用于碳膜机的水流。
- 配备一套 6KW 热水机，开门时，热水会流过房间。
安全保护要求
- 机器配有报警装置；
- 当水压或气压达不到规定流量时，所有真空泵和阀门受到保护，不能启动，并有报警声和红色信号灯提示；
- 机器正常工作时，当水压或气压突然不足时，所有阀门自动关闭，并发出报警声和红色信号灯提示；
- 当操作系统（高压、离子源、控制系统）异常时，会发出报警声和红色信号灯提示；
- 高压接通，有保护报警装置。
工作环境要求
- 环境温度：10～35℃;
- 相对湿度：不大于 80%；
- 设备周围环境清洁，空气清新。不应有可能对电器和其他金属表面造成腐蚀或导致金属间导电的灰尘或气体。
设备电源要求
- 水源：工业软水，水压 0.2~0.3Mpa，水量~60L/min，进水温度≤25℃；水管接口 1.5 英寸；
- 气源：气压 0.6MPa；
- 电源： 三相五线制 380V，50Hz，电压波动范围：线电压 342 ~ 399V，相电压 198 ~ 231V；频率波动范围：49 ~ 51Hz；设备功耗~16KW；接地电阻≤1Ω；
- 吊装要求：自备 3 吨吊车，吊装门不小于 2000X2200mm
准备好推进您的研究了吗？与 KINTEK 合作。
在 KINTEK，我们深知每个实验都是独一无二的。我们强大的深度定制能力使我们能够根据您的具体要求定制射频 PECVD 系统。无论您是需要对标准型号进行修改，还是需要完全定制的解决方案，我们的研发和制造专长都能确保您的实验室得到完美的解决方案。
现在就与我们的专家讨论您的项目。 填写我们的 联系表 让我们一起探讨 KINTEK 如何提升您的薄膜沉积能力。
FAQ
MPCVD 设备的原理是什么？
PECVD 设备有哪些用途？
CVD 设备的原理是什么？
使用 MPCVD 设备有哪些优势？
PECVD 设备的主要类型有哪些？
使用 CVD 机器有哪些优势？
MPCVD 设备有哪些主要应用？
PECVD 设备如何工作？
CVD 机器有哪些应用？
MPCVD 设备有哪些主要组件？
PECVD 设备有哪些主要特点？
CVD 设备有哪些主要特点？
MPCVD 设备如何提高能效？
使用 PECVD 设备有哪些优势？
有哪些类型的 CVD 设备？
为什么 MPCVD 是金刚石生长的首选？
使用 PECVD 设备可以沉积哪些材料？
为什么 PECVD 比其他沉积方法更受青睐？
4.9
out of
5
Incredible precision and speed! This system has revolutionized our lab's efficiency.
4.8
out of
5
Top-notch quality and durability. Worth every penny for advanced research.
4.7
out of
5
Fast delivery and easy setup. The technology is cutting-edge and reliable.
4.9
out of
5
Exceptional value for money. The system performs flawlessly under heavy use.
4.8
out of
5
Highly advanced and user-friendly. A game-changer for our semiconductor work.
4.7
out of
5
Impressive durability and performance. Exceeded all our expectations.
4.9
out of
5
The system arrived ahead of schedule and works like a dream. Perfect for high-tech labs.
4.8
out of
5
Precision engineering at its best. This PECVD system is a must-have for serious researchers.
4.7
out of
5
Reliable and efficient. The technology is ahead of its time.
4.9
out of
5
Outstanding performance and quick delivery. Our lab couldn't be happier.
4.8
out of
5
Superior quality and advanced features. A fantastic investment for any lab.
获取报价
我们的专业团队将在一个工作日内回复您。请随时与我们联系！
相关产品
KINTEK Slide PECVD 管式炉：利用射频等离子体、快速热循环和可定制的气体控制实现精密薄膜沉积。是半导体和太阳能电池的理想之选。
用于精确薄膜沉积的先进 PECVD 管式炉。均匀加热、射频等离子源、可定制的气体控制。是半导体研究的理想之选。
KINTEK 的 PECVD 涂层设备可在低温下为 LED、太阳能电池和 MEMS 提供精密薄膜。可定制的高性能解决方案。
KINTEK 的多区 CVD 管式炉为先进的薄膜沉积提供精确的温度控制。它是研究和生产的理想之选，可根据您的实验室需求进行定制。
915MHz MPCVD 金刚石机 微波等离子体化学气相沉积系统反应器
KINTEK MPCVD 金刚石设备：采用先进的 MPCVD 技术合成高品质金刚石。生长速度更快、纯度更高、可定制选项。立即提高产量！
超真空电极馈入件，用于可靠的 UHV 连接。高密封性、可定制的法兰选项，是半导体和太空应用的理想选择。
KINTEK 的 CVD 管式炉可提供高达 1600°C 的精确温度控制，是薄膜沉积的理想之选。可根据研究和工业需求进行定制。
带真空站的分室 CVD 管式炉 - 用于先进材料研究的高精度 1200°C 实验室炉。可提供定制解决方案。
KINTEK MPCVD 系统：精确生长高质量金刚石薄膜。可靠、节能、适合初学者。提供专家支持。
用于实验室和钻石生长的 MPCVD 设备系统反应器钟罩式谐振器
KINTEK MPCVD 系统：用于实验室培育高纯度金刚石的精密金刚石生长设备。可靠、高效，可为科研和工业定制。
了解 KINTEK 先进的火花等离子烧结炉 (SPS)，实现快速、精确的材料加工。可定制的研究和生产解决方案。
KT-14M 马弗炉：采用碳化硅元件、PID 控制和节能设计，可精确加热至 1400°C。是实验室的理想之选。
KINTEK 1200℃ 可控气氛炉：通过气体控制进行精确加热，适用于实验室。烧结、退火和材料研究的理想之选。可定制尺寸。
KT-14A 可控气氛炉，用于实验室和工业。最高温度 1400°C，真空密封，惰性气体控制。可提供定制解决方案。
KT-17A 可控气氛炉：通过真空和气体控制实现 1700°C 精确加热。是烧结、研究和材料加工的理想之选。立即浏览！
了解 KINTEK 的氢气气氛炉，在受控环境中进行精确烧结和退火。温度高达 1600°C，具有安全功能，可定制。
KINTEK 带氧化铝管的管式炉：精确加热至 1700°C，用于材料合成、CVD 和烧结。结构紧凑、可定制、真空就绪。立即浏览！
KinTek 真空烤瓷炉：用于高质量陶瓷修复的精密牙科实验室设备。先进的烧制控制和用户友好型操作。
KINTEK KT-12M 马弗炉：1200°C 精确加热，PID 控制。是需要快速、均匀加热的实验室的理想之选。了解更多型号和定制选项。