Name: 用于实验室和钻石生长的 MPCVD 设备系统反应器钟罩式谐振器
Brand: Kintek Furnace
SKU: KTMP315
Rating: 4.83 (11 reviews)

利用 KINTEK 提升您的金刚石合成技术

凭借卓越的研发和内部制造，KINTEK 提供最先进的微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD) 系统。我们的设备经过精心设计，可靠性高、效率高，能够稳定地生产出高纯度、高质量的金刚石，满足各种实验室和工业需求。

为什么 KINTEK MPCVD 系统是您的首选？

在 KINTEK，我们致力于推动金刚石合成技术的发展。我们的 MPCVD 系统是性能、创新和支持的完美结合：

无与伦比的可靠性和性能： 我们的 MPCVD 设备具有超过 40,000 小时的运行稳定性，在可靠性、可重复性和成本效益方面树立了行业标准。您可以信赖 KINTEK 系统，在一次又一次的运行中获得一致的结果。
先进的技术优势： 我们不断对研发进行再投资，实施多种升级和改进。这一承诺转化为 MPCVD 系统，显著提高了效率，降低了客户的运营成本。
系统的主要优势：
- 宽敞的生长区域： 具有 3 英寸的基片生长区域，最大可容纳 45 块金刚石。
- 能源效率高： 配备 1-10kW 可调输出微波功率，在不影响性能的前提下最大限度地降低耗电量。
- 专家知识传授： 受益于我们经验丰富的研究团队的支持，包括获得前沿的钻石生长配方。
- 为所有用户提供全面支持： 我们提供独有的技术支持计划，即使是没有任何金刚石种植经验的团队也能获得成功。

视觉展示：实际应用中的 KINTEK MPCVD 优势

了解我们的 MPCVD 技术的卓越效果和精密工程：

由欣泰 MPCVD 设备生长的毛坯钻石 — 由金泰克MPCVD设备生长的毛坯钻石

了解 MPCVD 技术

MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）是一种合成高质量金刚石薄膜和单晶体的先进技术。它包括在真空室中用含碳气体（如甲烷、CH4）与其他气体（如 H2、Ar、O2、N2）混合产生微波等离子体。这种等离子体有助于将碳原子精确沉积到基底上，从而实现金刚石材料的可控生长。

MPCVD 方法的一般优势：

与高压高温（HPHT）等其他合成技术相比，MPCVD 具有以下几个主要优势：

更高纯度的金刚石： 非接触式等离子体和受控环境最大程度地减少了污染。
能耗更低： 通常比 HPHT 更节能。
可生产更大的金刚石： 非常适合生长较大的单晶金刚石和大面积薄膜。
多种气体控制： 允许使用多种气体，可灵活调整金刚石特性。
稳定的处理过程： 提供平稳的微波功率调节和稳定的温度控制，这对稳定质量和避免籽晶损失等问题至关重要。

这些特点使 MPCVD 成为一种前景广阔的工业应用和高级研究方法，尤其是在对高质量和可控生长要求极高的领域。

多样化应用，由 KINTEK MPCVD 揭开神秘面纱

KINTEK 的 MPCVD 系统可满足各种尖端应用的需求，充分利用金刚石的独特性能，如超强硬度、高硬度、优异的热导率、低热膨胀性、抗辐射硬度和化学惰性：

实验室培育宝石： 以具有竞争力的成本为珠宝市场生产大型优质钻石，提供符合道德规范和可持续发展的替代品。
半导体工业： 促进大面积、高纯度金刚石基板的发展，这对下一代电力电子器件、量子计算和先进传感器至关重要。
光学元件： 为激光器和其他光学系统制造具有卓越光学透射率、热稳定性和耐用性的金刚石薄膜和窗口。
工业工具： 制造高度耐用的金刚石涂层切削、钻孔和研磨工具，用于加工坚硬和磨损性材料。
研发： 为学术和工业研究人员探索新的金刚石材料、掺杂技术和应用提供多功能的可靠平台。

与传统的 HPHT 方法相比，我们的 MPCVD 技术具有显著优势，特别是在需要大尺寸、高纯度金刚石的应用领域。这使 KINTEK 系统成为半导体、光学和现代珠宝市场的理想解决方案，推动了创新并实现了新的可能性。

深入了解：KINTEK MPCVD 系统的设计和运行

我们的 MPCVD 系统如何工作（工作流程）

KINTEK MPCVD 设备对每个气路（反应气体，如 CH4、H2、Ar、O2、N2 等）的流量和腔体压力进行精细控制。气体在配方规定的特定压力下进入腔体。稳定气流后，6 千瓦（或其他指定功率）固态微波发生器产生微波，然后通过波导将微波导入空腔。

在微波场内，反应气体转变为等离子状态，形成一个稳定的等离子球，精确地悬浮在金刚石基底上方。等离子体产生的强烈热量将基底提升到最佳生长温度。空腔内产生的多余热量由一个集成的水冷装置有效地散发掉。

在 MPCVD 单晶金刚石生长过程中，为确保最佳的生长条件，操作人员可以精确调节微波功率、气源成分和腔体压力等因素。其主要优点是等离子球不接触腔壁，确保金刚石生长过程中不含杂质，从而大大提高了金刚石的质量和纯度。

系统组件和细节

微波系统

反应腔

气流系统

真空和传感器系统

综合技术规格

微波系统	微波频率 2450±15MHZ、输出功率 1～10 KW 连续可调微波输出功率稳定性：<±1% 微波泄漏≤2MW/cm2 输出波导接口：WR340, 430 带 FD-340, 430 标准法兰冷却水流量6-12L/min 系统驻波系数驻波系数 ≤ 1.5 微波手动 3 针调节器，激励腔，大功率负载输入电源380VAC/50Hz ± 10%，三相
反应腔	真空泄漏率<5 × 10-9 Pa .m3/s 极限压力小于 0.7 Pa（使用皮拉尼真空计的标准设置）保压 12 小时后，反应室的压力上升不超过 50Pa 反应室的工作模式：TM021 或 TM023 模式腔体类型：蝶形谐振腔，最大承载功率 10KW，304 不锈钢材质，层间水冷，高纯度石英板密封方式。进气方式：顶部环形均匀进气真空密封：主腔底部连接处和注入门用橡胶圈密封，真空泵和波纹管用 KF 密封，石英板用金属 C 形圈密封，其余部分用 CF 密封观察和测温窗口：4 个观察孔样品装载口位于样品室前方在 0.7KPa~30KPa 压力范围内稳定排放（动力压力应匹配）
样品支架	样品台直径≥70 毫米，有效使用面积≥64 毫米底板平台水冷夹层结构样品架可在腔体内电动均匀升降
气流系统	全金属焊接气盘设备所有内部气路均应采用焊接或 VCR 接头。 5 通道 MFC 流量计，H2/CH4/O2/N/Ar。H2: 1000 sccm ; CH4:100 sccm; O2: 2 sccm; N2: 2 sccm; Ar：10 sccm 工作压力 0.05-0.3MPa，精度 ±2 各通道流量计采用独立气动阀控制
冷却系统	3 路水冷却，实时监控温度和流量。系统冷却水流量≤ 50L/min 冷却水压力<4KG，进水温度 20-25 ℃。
温度传感器	外置红外温度计，温度范围为 300-1400 ℃。控温精度 < 2 ℃ 或 2
控制系统	采用西门子 smart 200 PLC 和触摸屏控制。系统具有多种程序，可实现生长温度自动平衡、生长气压精确控制、自动升温、自动降温等功能。通过对水流量、温度、压力等参数的监控，可实现设备的稳定运行和全面保护，并通过功能联锁保证运行的可靠性和安全性。
可选功能	中心监控系统基底电源

与 KINTEK 携手满足您的先进材料需求

KINTEK 是公认的提供先进高温炉解决方案的领先企业，拥有卓越的研发能力和专业的内部制造支持。我们的产品线非常广泛，包括马弗炉、管式炉、旋转炉、真空炉和气氛炉，以及专业的 CVD/PECVD/MPCVD 系统，充分体现了我们在热加工和材料科学方面的全面专业知识。我们引以为豪的是我们强大的深度定制能力，使我们能够精确地满足您独特的实验或工业生产要求。