产品 High Temperature Furnaces MPCVD 用于实验室金刚石生长的圆柱形谐振器 MPCVD 设备系统
用于实验室金刚石生长的圆柱形谐振器 MPCVD 设备系统

MPCVD

用于实验室金刚石生长的圆柱形谐振器 MPCVD 设备系统

货号 : KTWB315

价格根据 规格和定制情况变动


微波输出功率
1~10 KW 连续可调
基质生长区域
3 英寸
最大批量负荷
45 块钻石
ISO & CE icon

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凭借卓越的研发和内部制造能力,KINTEK 为各种实验室提供先进的高温炉解决方案,包括我们尖端的 MPCVD 系统。我们的产品线包括马弗炉、管式炉、旋转炉、真空炉和气氛炉以及各种 CVD/PECVD/MPCVD 系统,并辅以强大的深度定制能力,以精确满足您独特的实验要求。

KINTEK MPCVD 系统:精确生长高质量金刚石薄膜

KinTek MPCVD 系统

我们的微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD) 系统专为旨在生长高质量金刚石薄膜的实验室和行业而设计。通过利用含碳气体和微波等离子体,KINTEK 的 MPCVD 技术为金刚石合成提供了可靠、高效的方法。

为什么选择 KINTEK 的 MPCVD 系统?

凭借多年的行业经验和广泛的客户群,KINTEK 的 MPCVD 设备的性能和可靠性值得信赖。我们的系统已经证明了这一点:

  • 卓越的稳定性和可靠性: 超过 40,000 小时的稳定运行证明了这一点。
  • 可重复性和成本效益: 持续高效地提供高质量结果。
  • 高容量: 3 英寸基质生长区,最大批量负载可达 45 颗钻石。
  • 高效节能: 1-10KW 可调输出微波功率,降低耗电量。
  • 专家支持: 由经验丰富的研究团队提供前沿钻石种植配方支持。
  • 新手友好型: 为零钻石种植经验的团队提供专属技术支持计划。

利用我们积累的先进技术,我们对 MPCVD 系统进行了多轮升级和改进,从而显著提高了效率,降低了设备成本。因此,我们的 MPCVD 设备处于技术进步的最前沿,而且价格极具竞争力。准备好提高您的金刚石生长能力了吗? 立即咨询我们的专家!

KinTek MPCVD 仿真
KinTek MPCVD 模拟

视觉展示:使用 KINTEK MPCVD 的结果

KINTEK MPCVD 设备
KINTEK MPCVD 金刚石设备
新型 KINTEK MPCVD 金刚石设备
新型 KINTEK MPCVD 金刚石设备
新型 KINTEK MPCVD 金刚石设备
新型 KINTEK MPCVD 金刚石设备
通过KINTEK MPCVD生长的毛坯钻石
通过 KINTEK MPCVD 生长的毛坯钻石
在金泰克 MPCVD 设备中,钻石正在生长
在金泰克 MPCVD 设备中,钻石正在生长
在金泰克 MPCVD 设备中,钻石正在生长
在金泰克 MPCVD 设备中,钻石正在生长
在 KinTek MPCVD 设备中,钻石正在生长
在 KinTek MPCVD 设备中,钻石正在生长
在 KinTek MPCVD 设备中,钻石正在生长
在 KinTek MPCVD 设备中,钻石正在生长
在 KinTek MPCVD 设备中,钻石正在生长
在 KinTek MPCVD 设备中,钻石正在生长
金泰克 MPCVD 设备培育出的毛坯钻石
金泰克 MPCVD 设备培育出的毛坯钻石
金泰克 MPCVD 设备培育出的毛坯钻石
金泰克 MPCVD 设备培育出的毛坯钻石
由 KINTEK MPCVD 设备生长的毛坯钻石
由 KINTEK MPCVD 设备生长的毛坯钻石
抛光后的 MPCVD 金刚石
抛光后的 MPCVD 金刚石
采用 KinTek MPCVD 技术的多晶产品
金泰克MPCVD制备的多晶金刚石

主要特点和系统组件

我们的 MPCVD 系统采用精密部件设计,可在沉积过程中实现最佳性能。系统通常包括一个真空室、一个微波发生器(通常是通过石英窗口耦合的工作频率在 2.45 GHz 左右的磁控管或速调管)、一个带有质量流量控制器 (MFC) 的精确气体输送系统以及温度控制机制。

微波系统

微波系统

反应室

反应室

气流系统

气流系统

真空和传感器系统

真空和传感器系统

技术规格

微波系统
  • 微波频率 2450±15MHZ、
  • 输出功率 1~10 KW 连续可调
  • 微波输出功率稳定:
  • 微波泄漏≤2MW/cm2
  • 输出波导接口:WR340、430 带 FD-340、430 标准法兰
  • 冷却水流量6-12L/min
  • 系统驻波系数驻波系数 ≤ 1.5
  • 微波手动 3 针调节器,激励腔,大功率负载
  • 输入电源380VAC/50Hz ± 10%,三相
反应腔
  • 真空泄漏率
  • 极限压力小于 0.7 Pa(使用皮拉尼真空计的标准设置)
  • 保压 12 小时后,反应室的压力上升不超过 50Pa
  • 反应室的工作模式:TM021 或 TM023 模式
  • 腔体类型:圆柱形谐振腔,最大承载功率为 10KW,由 304 不锈钢制成,层间水冷,采用高纯度石英板密封方式。
  • 进气方式:顶部环形均匀进气
  • 真空密封:主腔底部连接处和注入门用橡胶圈密封,真空泵和波纹管用 KF 密封,石英板用金属 C 形圈密封,其余部分用 CF 密封
  • 观察和测温窗口:8 个观察孔
  • 腔室前部的样品装载口
  • 在 0.7KPa~30KPa 压力范围内稳定排放(动力压力应匹配)
样品支架
  • 样品台直径≥72 毫米,有效使用面积≥66 毫米
  • 底板平台水冷夹层结构
  • 样品架可在腔体内电动均匀升降
气流系统
  • 全金属焊接气盘
  • 设备所有内部气路均应采用焊接或 VCR 接头。
  • 5 通道 MFC 流量计,H2/CH4/O2/N/Ar。H2: 1000 sccm ; CH4:100 sccm; O2: 2 sccm; N2: 2 sccm; Ar:10 sccm
  • 工作压力 0.05-0.3MPa,精度 ±2
  • 各通道流量计采用独立气动阀控制
冷却系统
  • 3 行水冷却,实时监控温度和流量。
  • 系统冷却水流量≤ 50L/min
  • 冷却水压力为
温度传感器
  • 外置红外温度计,温度范围为 300-1400 ℃。
  • 温度控制精确度
控制系统
  • 采用西门子 smart 200 PLC 和触摸屏控制。
  • 系统具有多种程序,可实现生长温度自动平衡、生长气压精确控制、自动升温、自动降温等功能。
  • 通过对水流量、温度、压力等参数的监控,可实现设备的稳定运行和全面保护,并通过功能联锁保证运行的可靠性和安全性。
可选功能
  • 中心监控系统
  • 基底电源

KINTEK MPCVD 的优势:卓越的金刚石合成

与 HFCVD(热灯丝 CVD)和 DC-PJ CVD(直流等离子喷射 CVD)等其他方法相比,KINTEK 的 MPCVD 技术在金刚石合成方面具有显著优势:

  • 高纯度金刚石: MPCVD 避免了热丝等元素对金刚石的污染(如 HFCVD)。在我们的系统中,等离子体球不接触腔壁,确保了无杂质生长过程,与 HPHT(高压高温)方法相比,可获得纯度更高的金刚石。
  • 使用多种气体: 允许使用多种气体(如 CH4、H2、Ar、O2、N2),以满足不同的工业需求并定制金刚石特性。
  • 稳定精确的控制: 可对微波功率进行平稳、连续的调节,并对反应温度进行稳定控制。这避免了 DC-PJ CVD 中有时出现的因电弧和火焰故障导致晶体种子从基底上脱落等问题。基底温度由等离子体位置精确控制,并由热电偶测量。
  • 大面积稳定等离子体: MPCVD 方法可产生大面积的稳定放电等离子体,因此是工业应用和扩大生产规模最有前途的金刚石合成方法。
  • 高能效、低成本,适用于更大尺寸的金刚石: MPCVD 生产工艺的能耗通常比 HPHT 低,有利于以更低的成本生产更大、更高质量的金刚石。

您正在寻找可靠、先进、纯度高、性能好的钻石合成解决方案吗? 请索取我们的 MPCVD 系统报价!

工作原理:KINTEK MPCVD 如何培育钻石

KINTEK MPCVD 设备精心控制生长环境。该过程首先控制各气路(反应气体,如 CH4、H2、Ar、O2、N2 等)的流量和腔体压力,在特定的稳定条件下将这些气体引入腔体。气流稳定后,6 千瓦(或 1-10 千瓦可调)固态微波发生器产生微波,然后通过波导将微波引入空腔。

在微波场的作用下,反应气体转变为等离子体状态,形成一个等离子体球,悬浮在金刚石基底上方。等离子体的高温将基底加热到金刚石生长所需的特定温度。空腔中产生的多余热量由水冷装置有效地散发掉。

为确保在 MPCVD 单晶金刚石生长过程中达到最佳生长条件,需要对微波功率、气源成分和腔体压力等因素进行精确调整。等离子球与腔壁的非接触特性至关重要,因为它可以防止杂质污染金刚石的生长过程,从而提高金刚石的最终质量。

使用 KINTEK MPCVD 生长的金刚石的应用

金刚石的独特性能,包括极高的硬度、刚度、高导热性、低热膨胀性、辐射硬度和化学惰性,使其成为一种极具价值的材料。天然钻石和 HPHT 钻石因成本、尺寸和杂质控制而受到限制,而 KINTEK 的 MPCVD 技术则为更广泛的应用打开了大门:

  • 宝石级钻石: MPCVD 是用于培育宝石级钻石的主要设备,为不断扩大的珠宝市场提供了一条生产低成本、高品质大型钻石的可行途径。
  • 半导体工业: 金刚石薄膜生长可以是单晶或多晶。它被广泛用于半导体工业中的大尺寸金刚石基片。
  • 切割和钻孔工具: MPCVD 金刚石的超强硬度使其成为金刚石切割或钻孔工具行业的理想选择。
  • 光学和先进材料: 用于利用金刚石独特的光学和热学特性的应用。

与实验室生长金刚石的 HPHT 方法相比,KINTEK 采用的微波 CVD 方法在大尺寸金刚石生长方面具有成本低的优势。这使其成为半导体钻石、光学钻石生长以及满足大型珠宝钻石市场需求的理想解决方案。

与 KINTEK 携手定制高温解决方案

除了专业的 MPCVD 系统外,KINTEK 还提供多样化的产品系列,包括马弗炉、管式炉、旋转炉、其他真空炉和气氛炉,以及各种 CVD/PECVD 系统。我们的核心优势在于卓越的研发能力、专业的内部制造能力和深厚的定制能力,使我们能够根据您的特定实验或生产要求量身定制解决方案。

您是否有独特的要求或具有挑战性的项目?我们擅长开发定制解决方案。 现在就联系 KINTEK,讨论您的需求,了解我们先进的熔炉技术如何为您的工作带来益处!

FAQ

CVD 设备的原理是什么?

化学气相沉积(CVD)的原理是将含有薄膜元素和其他必要气体的气态或液态反应物的蒸汽引入反应室。通过提高温度、等离子体作用、光辐射或其他方式施加能量,在基底表面发生化学反应,生成新的固体物质,沉积成薄膜。CVD 炉的工作原理是将前驱气体引入炉腔,高温使这些气体在基底表面附近发生反应或分解。所需的材料以固体薄膜的形式沉积在基底上,而副产品和未使用的气体则通过排气或真空系统排出。

MPCVD 设备的原理是什么?

微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备通过使用微波发生器电离混合气体来产生等离子体。该等离子体被置于低压下的反应室中,基底由基底支架固定。主要组件包括微波发生器、等离子体室、气体输送系统、基底支架和真空系统。

PECVD 设备有哪些用途?

PECVD(等离子体增强化学气相沉积)设备广泛应用于硅和类似材料加工、纳米技术、太阳能电池生产和电子领域。它对于沉积太阳能电池薄膜和制造电子设备的高质量元件至关重要。其应用包括电子设备制造(导电层隔离、电容器、表面钝化)、半导体设备、可印刷电子设备和医疗设备保护。

使用 CVD 机器有哪些优势?

CVD 具有高纯度、均匀性和一致性的特点,因此适用于复杂几何形状的镀膜。它可用于半导体、航空航天和生物医学等行业。与 PVD 不同的是,CVD 不局限于视线范围内的应用,涂层在反应过程中与表面结合,从而产生优异的附着力。

使用 MPCVD 设备有哪些优势?

MPCVD 设备具有以下几个优点:消除了热丝(非极性放电)的污染,允许使用多种气体,提供稳定的反应温度控制,实现大面积稳定放电等离子体,并提供对薄膜厚度、纯度和晶体质量的精确控制。此外,它们还能生产大面积金刚石薄膜,确保条件稳定,保持样品质量一致,而且成本效益高。

PECVD 设备的主要类型有哪些?

PECVD 设备有多种类型,包括倾斜旋转等离子体增强化学沉积 PECVD 管式炉设备、带真空站的分室 CVD 管式炉、射频 PECVD 系统和圆柱谐振器 MPCVD 设备系统。每种类型都是为半导体研究、薄膜沉积和实验室金刚石生长等特定应用而设计的。

CVD 机器有哪些应用?

CVD 应用广泛,包括半导体器件生产(如氮化硅绝缘层)、光学涂层、保护涂层以及石墨烯和碳纳米管等具有独特电气、热和机械特性的先进材料。它还可用于以传统技术无法实现的方式沉积保形薄膜和修饰基底表面。其应用包括原子层沉积、集成电路、光伏设备、耐磨涂层、具有特殊性能的聚合物涂层、用于气体传感的金属有机框架以及用于水处理的膜涂层。

MPCVD 设备有哪些主要应用?

MPCVD 设备主要用于实验室生长的高纯度金刚石合成,包括金刚石薄膜和其他先进材料。由于其能够精确控制生产高质量、均匀的薄膜,其应用领域扩展到半导体研究、光学和微机电系统(MEMS)。

PECVD 设备如何工作?

PECVD 设备的工作原理是利用等离子体增强化学气相沉积过程。沉积速率和薄膜特性(如厚度、硬度、折射率)可通过调整气体流速、工作温度和等离子条件等参数来控制。等离子体可对密度、纯度和粗糙度等材料特性进行微调,从而在较低的基底温度下生成高质量的薄膜。

CVD 设备有哪些主要特点?

CVD 炉的主要特点包括:高温能力(通常从 200°C 到 1500°C 以上)、精确的气流控制、气氛控制(真空、大气压或低压环境)、均匀加热以实现均匀的薄膜沉积,以及高效的排气系统以清除副产品和未反应气体。CVD 涂层工艺的主要特点包括在高温下应用以促进反应,通常在真空条件下进行。涂层前必须清除零件表面的污染物。

MPCVD 设备有哪些主要组件?

MPCVD 设备的主要组件包括微波发生器(用于产生等离子体)、反应室(用于在低压下容纳基底和混合气体)、基底支架(用于在沉积过程中固定基底)、气体输送系统(用于引入和控制混合气体)和真空系统(用于维持必要的低压环境)。

PECVD 设备有哪些主要特点?

PECVD 设备的主要特征包括一个容纳电子子系统的通用底座控制台、一个带有抽气口的 PECVD 工艺室、加热的上下电极、参数调整软件和一个带有质量流量控制气体管路的气体舱。该系统通常包括一个腔室、真空泵和气体分配系统,配置因电源、气体类型和压力传感器而异。

有哪些类型的 CVD 设备?

CVD 机器有多种类型,包括用于实验室金刚石生长的圆柱形谐振器 MPCVD 机器系统、用于化学气相沉积的定制多功能 CVD 管式炉、带液体气化器的滑动 PECVD 管式炉、真空热压炉机器、倾斜旋转等离子体增强化学沉积 (PECVD) 管式炉、带真空站的分室 CVD 管式炉,以及用于射频等离子体增强化学气相沉积的射频 PECVD 系统。每种类型都专为特定应用而设计,并具有独特的功能。

MPCVD 设备如何提高能效?

MPCVD 设备采用无电极工艺,可减少污染和能量损失,从而提高能源效率。微波等离子体生成效率高,系统的模块化和可扩展设计可优化各种工业应用中的能源使用。

使用 PECVD 设备有哪些优势?

PECVD 设备具有多项优势,包括沉积速度快(例如,氮化硅的沉积速度是 CVD 的 160 倍)、可通过调整等离子参数和气体成分生成具有不同特性的薄膜、薄膜质量高且厚度均匀、附着力好、开裂风险低以及适用于复杂表面。它们还具有较高的耐溶剂性和耐腐蚀性,以及化学稳定性和热稳定性。

为什么 MPCVD 是金刚石生长的首选?

MPCVD 是金刚石生长的首选方法,因为它能提供高密度的带电粒子和活性物质,能在较低的压力下沉积大面积的金刚石薄膜,并能确保所生长的薄膜具有更好的均匀性。这些特点可生产出高纯度、高质量的金刚石,并能精确控制其特性。

使用 PECVD 设备可以沉积哪些材料?

PECVD 设备可沉积各种材料,包括氮化硅 (SiN) 和碳化硅 (SiC),这些材料在半导体和高温微机电系统应用中特别有用。这些设备用途广泛,可用于制造具有定制特性的薄膜,以满足特定的工业和研究需求。

为什么 PECVD 比其他沉积方法更受青睐?

与其他沉积方法相比,PECVD 更受青睐,因为它可以在较低的基底温度下进行沉积,提供良好的阶跃覆盖率,并实现高度均匀的薄膜沉积。它还能很好地控制折射率、应力和硬度等材料特性,因此非常适合需要精确薄膜特性的应用。
查看更多该产品的问题与解答

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This machine is a game-changer! The diamond growth speed is phenomenal, and the quality is unmatched.

Elara Voss

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Incredible value for money. The precision and durability of this system are top-notch.

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Exceptional performance! The machine’s durability and advanced tech make it a must-have.

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Outstanding build quality. The diamonds produced are of impeccable clarity and size.

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Mei Ling

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The technology behind this machine is cutting-edge. Highly recommend for any lab.

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Perfect for high-volume diamond growth. The quality is consistently excellent.

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Mateo Silva

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Incredibly advanced and user-friendly. Delivers perfect diamonds with ease.

Yuki Tanaka

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