产品 High Temperature Furnaces CVD & PECVD Furnace 倾斜旋转式等离子体增强化学沉积 PECVD 管式炉设备
倾斜旋转式等离子体增强化学沉积 PECVD 管式炉设备

CVD & PECVD Furnace

倾斜旋转式等离子体增强化学沉积 PECVD 管式炉设备

货号 : KT-PE16

价格根据 规格和定制情况变动


最高温度
1600℃
射频等离子输出功率
5 -500W 可调,稳定性为 ± 1%
额定真空压力
10Pa(标准),6x10-5Pa(高真空可选)
ISO & CE icon

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倾斜旋转式等离子体增强化学沉积(PECVD)管式炉

倾斜旋转等离子体增强化学沉积(PECVD)管式炉设备是专为先进材料研究和生产而设计的精密系统。它利用旋转炉管和等离子发生器诱导气态放电中的化学反应,从而在各种材料上形成高质量的固体沉积物。这种对沉积过程的精确控制使其在尖端应用中具有不可估量的价值。

研究的主要特点和优势

我们的 PECVD 管式炉旨在为您的实验室提供精度、效率和多功能性:

  • 提高沉积质量:
    • 均匀混合和加热: 旋转炉管采用可变直径设计和混合挡板,可确保材料的充分混合和一致的温度分布,从而实现均匀和高质量的沉积。
    • 多功能等离子源: 射频等离子源(5-500W,自动匹配)可提供稳定可调的功率,提高活化能,降低反应温度,提高整体工艺效率,实现量身定制的材料沉积。
  • 精确的过程控制:
    • 精确的温度管理: PID 可编程温度控制具有极高的精度(±1℃)和稳定性,可实现精确的加热和冷却循环,这对获得最佳材料特性至关重要。支持远程和集中控制。
    • 可控气体环境: 高精度 MFC 质量流量计(最多 4 个通道)和气体混合装置可精确控制气体成分和流速,这对于优化特定材料和应用的沉积过程至关重要。
    • 高效真空系统: 配备高性能机械泵,可快速将炉管抽真空。可选配高真空装置(例如,高达 6x10 -5 Pa),以满足苛刻的工艺要求。
  • 用户友好型操作和耐用性:
    • 直观的界面: CTF Pro 控制器配有 7 英寸 TFT 触摸屏,可进行用户友好型程序设置、实时数据监控、历史数据分析和远程控制功能,从而简化操作。
    • 快速处理: 自动炉腔滑动系统有助于快速加热和冷却,最大限度地缩短加工时间,提高生产率。还提供辅助快速冷却和自动滑动功能。
    • 结构坚固: 采用不锈钢真空法兰,带有可调整的端口,确保可靠的密封和高真空度,提供纯净的沉积环境。设计用于实现最佳性能、低维护、易安装和长工作寿命。

技术规格

炉型 PE-1600-60
最高温度 1600℃
恒定工作温度 1550℃
炉管材料 高纯度 Al2O3 管
炉管直径 60 毫米
加热区长度 2x300 毫米
炉膛材料 日本氧化铝纤维
加热元件 二硅化钼
加热速率 0-10℃/min
热耦合 B 型
温度控制器 数字 PID 控制器/触摸屏 PID 控制器
温度控制精确度 ±1℃
射频等离子装置
输出功率 5 -500W 可调,稳定性 ± 1%
射频频率 13.56 MHz ±0.005% 稳定度
反射功率 最大 350W
匹配 自动
噪音 <50 分贝
冷却 空气冷却
气体精确控制装置
流量计 MFC 质量流量计
气体通道 4 个通道
流量 MFC1: 0-5SCCM O2
mfc2: 0-20scmch4
mfc3: 0- 100sccm h2
mfc4: 0-500 sccm n2
线性度 ±0.5% F.S.
重复性 ±0.2% F.S.
管路和阀门 不锈钢
最大工作压力 0.45 兆帕
流量计控制器 数字旋钮控制器/触摸屏控制器
标准真空装置(可选)
真空泵 旋片式真空泵
泵流量 4 升/秒
真空吸入口 KF25
真空规 皮拉尼/电阻硅真空计
额定真空压力 10Pa
高真空单元(可选)
真空泵 旋片泵+分子泵
泵流量 4L/S+110L/S
真空吸入口 KF25
真空规 复合真空计
额定真空压力 6x10-5Pa
以上规格和设置均可定制

应用领域

我们的 PECVD 管式炉精度高、用途广,是各种应用的理想之选,为以下领域的创新提供了动力:

  • 半导体制造: 在晶片上沉积氮化硅、二氧化硅和多晶硅等薄膜。
  • 太阳能电池生产: 制作碲化镉和铜铟镓硒等薄膜。
  • 平板显示器技术: 氧化铟锡和氧化锌等材料的沉积。
  • 光学涂层: 在光学元件上应用二氧化钛和氮化硅等薄膜。
  • 医疗设备制造: 在医疗设备上涂敷生物相容性或功能性薄膜,如羟基磷灰石和氮化钛。

工作原理

倾斜旋转式等离子体增强化学沉积(PECVD)管式炉作为等离子体增强旋转式化学气相沉积系统运行。其炉管采用带混合挡板的可变直径设计,可实现材料的均匀加热和高效混合。电感耦合等离子体发生器覆盖在炉管上,可提供更高的活化能,从而降低反应温度并提高效率。该设备采用三向质量流量计和气体混合装置来实现精确的气体控制。此外,高性能机械泵可快速抽空炉管,创造适合各种 CVD 过程的真空环境。

安全功能

安全是我们设计的重中之重。KINTEK 管式炉采用了多种安全机制:

  • 过流保护和过温报警功能,在超过极限值时自动切断电源。
  • 内置热电偶断路检测;一旦检测到故障,管式炉将停止加热并触发警报。
  • PE Pro 控制器支持断电重启功能,一旦恢复供电,窑炉即可恢复加热程序。

标准包装

编号 说明 数量
1 熔炉 1
2 石英管 1
3 真空法兰 2
4 导管隔热块 2
5 导管隔热块挂钩 1
6 耐热手套 1
7 射频等离子源 1
8 精确气体控制 1
9 真空装置 1
10 操作手册 1

可选设置和定制

利用我们的一系列可选设置,使 PECVD 系统满足您的特定研究需求:

  • 管内气体检测和监控(如 H2、O2)。
  • 独立的炉温监控和记录。
  • 用于 PC 远程控制和数据输出的 RS 485 通信端口。
  • 控制插入气体进料流速(如质量流量计和浮子流量计)。
  • 先进的触摸屏温度控制器,功能多样,操作简便。
  • 高真空泵站配置(如叶片真空泵、分子泵、扩散泵)。

您在先进材料科学领域的合作伙伴

凭借卓越的研发和内部制造能力,KINTEK 可为各种实验室提供先进的高温炉解决方案。我们的产品系列包括马弗炉、管式炉、回转炉、真空炉和气氛炉以及 CVD/PECVD/MPCVD 系统,并辅以强大的深度定制能力,以精确满足您独特的实验要求。

准备好利用我们的倾斜旋转式 PECVD 管式炉提升您的研究水平了吗?我们的专家随时准备与您讨论具体应用、探讨定制选项或提供详细报价。 今天就联系我们 了解更多信息!

FAQ

旋转管式炉的主要应用有哪些?

旋转管式炉广泛应用于粉末冶金、材料混合和化学反应等需要均匀加热和连续混合的领域。它们对于处理颗粒状或粉末状材料尤为有效。

什么是管式炉及其工作原理?

管式炉是一种通过热源产生热量并通过炉管将热量传递给工件或介质的加热装置。它能提供稳定、均匀的加热,适用于各种工业应用。温度控制系统使用热电偶或其他传感器监测炉温,并将信号反馈给控制器,控制器会调节加热元件的功率输出,以保持精确的温度控制。

旋转炉的原理是什么?

回转炉是一个绕轴旋转的圆柱体,略微倾斜以方便装料从一端移动到另一端。这种设计可促进混合和均匀加热。热量通常由与物料流逆向流动的热气提供。

PECVD 设备有哪些用途?

PECVD(等离子体增强化学气相沉积)设备广泛应用于硅和类似材料加工、纳米技术、太阳能电池生产和电子领域。它对于沉积太阳能电池薄膜和制造电子设备的高质量元件至关重要。其应用包括电子设备制造(导电层隔离、电容器、表面钝化)、半导体设备、可印刷电子设备和医疗设备保护。

旋转炉有哪些用途?

旋转炉用于各种工艺,包括渗碳(在金属表面添加碳)、渗氮(在金属表面添加氮)、烧结、退火和其他先进的材料处理。它还可用于生物质热解、活性炭再生和半导体研究中的精密薄膜沉积等应用。

CVD 设备的原理是什么?

化学气相沉积(CVD)的原理是将含有薄膜元素和其他必要气体的气态或液态反应物的蒸汽引入反应室。通过提高温度、等离子体作用、光辐射或其他方式施加能量,在基底表面发生化学反应,生成新的固体物质,沉积成薄膜。CVD 炉的工作原理是将前驱气体引入炉腔,高温使这些气体在基底表面附近发生反应或分解。所需的材料以固体薄膜的形式沉积在基底上,而副产品和未使用的气体则通过排气或真空系统排出。

MPCVD 设备的原理是什么?

微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备通过使用微波发生器电离混合气体来产生等离子体。该等离子体被置于低压下的反应室中,基底由基底支架固定。主要组件包括微波发生器、等离子体室、气体输送系统、基底支架和真空系统。

多区管式炉的主要应用有哪些?

多区管式炉用于各种商业和研究应用,包括半导体和电池生产、热电偶和矿物绝缘电缆制造、真空钎焊和热处理、真空固化和烧结、水/废水/土壤测试、航空陶瓷和金属测试、油气分析、固体氧化物燃料电池以及聚合物复合材料/石墨烯生产。它们还可用于金属热处理(淬火、回火、退火)、焊接预热、陶瓷/粉末冶金烧结、涂层处理和材料研究实验。

旋转管式炉有哪些主要特点?

旋转管式炉具有旋转机构,可确保均匀的热量分布和样品的彻底混合。它专为连续加工而设计,可容纳各种体积的样品。这种炉通常包括多个加热区、可旋转和倾斜的炉管,温度最高可达 1200°C。

管式炉的主要应用有哪些?

管式炉广泛用于真空或大气条件下的气淬试验、热处理应用(包括合成和提纯)、氧化、扩散、煅烧以及无机或有机化合物的热退火。它们还可用于需要控制加热和冷却速度的材料测试、热加工和化学反应。立式管式炉尤其适用于需要将样品从顶部投入炉内的工艺。

使用旋转炉有哪些优势?

回转炉具有多种优势,包括能源利用率高、处理各种进料的灵活性、批量炉能力、高产能、提高铅回收率、环保以及操作简便且所需人力较少。

PECVD 设备的主要类型有哪些?

PECVD 设备有多种类型,包括倾斜旋转等离子体增强化学沉积 PECVD 管式炉设备、带真空站的分室 CVD 管式炉、射频 PECVD 系统和圆柱谐振器 MPCVD 设备系统。每种类型都是为半导体研究、薄膜沉积和实验室金刚石生长等特定应用而设计的。

旋转炉有哪些主要类型?

旋转炉的主要类型包括用于热解和煅烧的电旋转窑、用于连续加工的真空密封旋转管式炉、实验室真空倾斜旋转管式炉、分体式多加热区旋转管式炉和倾斜旋转等离子体增强化学沉积(PECVD)管式炉。每种类型都是针对特定应用和温度要求而设计的。

使用 CVD 机器有哪些优势?

CVD 具有高纯度、均匀性和一致性的特点,因此适用于复杂几何形状的镀膜。它可用于半导体、航空航天和生物医学等行业。与 PVD 不同的是,CVD 不局限于视线范围内的应用,涂层在反应过程中与表面结合,从而产生优异的附着力。

使用 MPCVD 设备有哪些优势?

MPCVD 设备具有以下几个优点:消除了热丝(非极性放电)的污染,允许使用多种气体,提供稳定的反应温度控制,实现大面积稳定放电等离子体,并提供对薄膜厚度、纯度和晶体质量的精确控制。此外,它们还能生产大面积金刚石薄膜,确保条件稳定,保持样品质量一致,而且成本效益高。

多区管式炉有哪些主要特点?

主要特点包括1) 灵活的退火和化学气相沉积功能;2) 可容纳最大 60 毫米(2 英寸)的样品;3) 内置歧管,便于气体输送;4) 具有自然温度梯度,两端较冷,中间加热均匀;5) 可适应各种气体或真空条件;6) 多个独立控制的加热区,可实现精确的温度曲线。

转管炉如何工作?

旋转管式炉的工作原理是间接燃烧,热量通过旋转管从热源传递到材料。它们使用带有多个控制区的连续热系统,以确保均匀加热。管式炉在其工作区燃烧粉碎的固体、气体或液体燃料,产生加热气体流向样品。内衬耐火材料并以一定角度安装的旋转鼓为这一过程提供了便利。

使用管式炉有哪些优势?

管式炉具有技术成熟、炉体结构简单、能耗低、热效率高、操作和控制简便、可连续生产、温度控制精确、温度分布均匀、适应不同气氛等优点。此外,它们还能获得更高的产品产量、更高的产品浓度,并能回收大部分裂解气和烟气。可将多个炉子组合起来进行大规模生产。

旋转炉有哪些主要特点?

旋转炉的主要特点包括高温能力、多区加热控制、可定制的旋转和过程控制、气氛多功能性以及集成的安全和环境控制。

PECVD 设备如何工作?

PECVD 设备的工作原理是利用等离子体增强化学气相沉积过程。沉积速率和薄膜特性(如厚度、硬度、折射率)可通过调整气体流速、工作温度和等离子条件等参数来控制。等离子体可对密度、纯度和粗糙度等材料特性进行微调,从而在较低的基底温度下生成高质量的薄膜。

旋转炉如何工作?

旋转炉通过旋转炉内的材料来确保热量均匀分布。旋转机构有助于实现一致的径向温度和精确的温度控制,通常通过电加热来实现。这种设计非常节能,适用于需要均匀处理材料的工艺。

CVD 机器有哪些应用?

CVD 应用广泛,包括半导体器件生产(如氮化硅绝缘层)、光学涂层、保护涂层以及石墨烯和碳纳米管等具有独特电气、热和机械特性的先进材料。它还可用于以传统技术无法实现的方式沉积保形薄膜和修饰基底表面。其应用包括原子层沉积、集成电路、光伏设备、耐磨涂层、具有特殊性能的聚合物涂层、用于气体传感的金属有机框架以及用于水处理的膜涂层。

MPCVD 设备有哪些主要应用?

MPCVD 设备主要用于实验室生长的高纯度金刚石合成,包括金刚石薄膜和其他先进材料。由于其能够精确控制生产高质量、均匀的薄膜,其应用领域扩展到半导体研究、光学和微机电系统(MEMS)。

多区管式炉如何工作?

多区管式炉的工作原理是1) 通过多个独立控制的加热元件产生热量;2) 通过炉管将热量均匀地传递给工件;3) 形成精确的温度梯度(用于 CVD 薄膜生长等过程)或扩展的恒温区(当多个区设置为相同温度时);以及 4) 保持适合各种工业过程的稳定加热条件。

使用旋转管式炉有哪些优势?

转管炉具有多个优点,其中包括由于其旋转作用而产生的均匀温度分布,可防止样品沉降并确保稳定的处理过程。它提高了热传导效率,从而缩短了处理时间,使结果更加均匀。此外,它的设计可实现出色的热传导效率,并可根据特定需求定制多个加热区。

管式炉有哪些类型?

管式炉有多种类型,包括实验室石英管式炉、分体式多加热区旋转管式炉、多区管式炉、高温管式炉(高达 1700°C)、用于薄膜沉积的 PECVD 管式炉、真空管式炉和立式管式炉。这些管式炉具有不同的功能,如快速加热、可调倾斜、360° 旋转、可定制的加热区和真空准备状态,以适应不同的应用。

回转炉的常见应用有哪些?

旋转管式炉在粉末冶金、材料混合和化学反应中特别有用,因为在这些应用中,均匀加热和连续混合是必不可少的。它们还可用于加工颗粒状或粉末状材料,生产氧化铝和铁矿球团等材料,并在煅烧和氧化等需要连续处理松散材料的应用中表现出色。

PECVD 设备有哪些主要特点?

PECVD 设备的主要特征包括一个容纳电子子系统的通用底座控制台、一个带有抽气口的 PECVD 工艺室、加热的上下电极、参数调整软件和一个带有质量流量控制气体管路的气体舱。该系统通常包括一个腔室、真空泵和气体分配系统,配置因电源、气体类型和压力传感器而异。

CVD 设备有哪些主要特点?

CVD 炉的主要特点包括:高温能力(通常从 200°C 到 1500°C 以上)、精确的气流控制、气氛控制(真空、大气压或低压环境)、均匀加热以实现均匀的薄膜沉积,以及高效的排气系统以清除副产品和未反应气体。CVD 涂层工艺的主要特点包括在高温下应用以促进反应,通常在真空条件下进行。涂层前必须清除零件表面的污染物。

MPCVD 设备有哪些主要组件?

MPCVD 设备的主要组件包括微波发生器(用于产生等离子体)、反应室(用于在低压下容纳基底和混合气体)、基底支架(用于在沉积过程中固定基底)、气体输送系统(用于引入和控制混合气体)和真空系统(用于维持必要的低压环境)。

使用多区管式炉有哪些优势?

优点包括1) 技术成熟可靠,炉体结构简单;2) 能耗低,热效率高;3) 操作简便,控制精确;4) 能够连续生产;5) 能够创建扩展的均匀加热区或精确的温度梯度;6) 化学工艺中的产品产量更高;7) 能够回收工艺气体;8)广泛的原料适用性,以及 9) 通过炉子组合实现大规模生产的可扩展性。

旋转管式炉可以达到什么温度?

旋转管式炉的最高温度可达 1200°C,因此适用于煅烧、烧结和热处理等高温应用。

管式炉可以达到哪些温度范围?

管式炉有各种温度范围可供选择,以适应不同的应用。标准炉型的温度通常最高可达 1200°C,而高温炉型的温度可达 1400°C 至 1700°C。一些专用炉型甚至可以达到 2000°C。温度能力取决于所使用的加热元件和炉管材料(如石英或氧化铝)。

回转炉如何处理不同的材料?

回转炉采用旋转和略微倾斜的设计,可确保均匀加热和混合,因此可灵活处理各种进料。这使其适用于各种材料,包括颗粒状或粉末状物质,并可在煅烧和氧化等应用中进行高效处理。

使用 PECVD 设备有哪些优势?

PECVD 设备具有多项优势,包括沉积速度快(例如,氮化硅的沉积速度是 CVD 的 160 倍)、可通过调整等离子参数和气体成分生成具有不同特性的薄膜、薄膜质量高且厚度均匀、附着力好、开裂风险低以及适用于复杂表面。它们还具有较高的耐溶剂性和耐腐蚀性,以及化学稳定性和热稳定性。

旋转炉具有哪些安全功能?

旋转炉配备了重要的安全功能,如过热保护、紧急关闭装置和清晰的警报系统。这些功能可确保安全操作,防止高温过程中发生事故。

有哪些类型的 CVD 设备?

CVD 机器有多种类型,包括用于实验室金刚石生长的圆柱形谐振器 MPCVD 机器系统、用于化学气相沉积的定制多功能 CVD 管式炉、带液体气化器的滑动 PECVD 管式炉、真空热压炉机器、倾斜旋转等离子体增强化学沉积 (PECVD) 管式炉、带真空站的分室 CVD 管式炉,以及用于射频等离子体增强化学气相沉积的射频 PECVD 系统。每种类型都专为特定应用而设计,并具有独特的功能。

MPCVD 设备如何提高能效?

MPCVD 设备采用无电极工艺,可减少污染和能量损失,从而提高能源效率。微波等离子体生成效率高,系统的模块化和可扩展设计可优化各种工业应用中的能源使用。

有哪些类型的多区管式炉?

现有类型包括1) 分离式多加热区旋转管式炉(具有倾斜和旋转功能);2) 实验室石英管式炉(最高 1700°C,1-10 区);3) 快速热处理 (RTP) 炉,加热速度快;4) 用于化学气相沉积的 CVD 管式炉;5) 用于等离子增强工艺的 PECVD 炉;6) 真空管式炉;7) 高压管式炉。这些管式炉有各种配置,可定制区数、温度范围以及真空/大气控制等特殊功能。

旋转管式炉可处理哪些类型的材料?

旋转管式炉非常适合加工颗粒状或粉末状材料。它们通常用于需要均匀加热和连续混合的粉末冶金、材料混合和化学反应等应用。

管式炉能否在不同气氛下运行?

是的,管式炉用途广泛,可在各种气氛下工作,包括空气、惰性气体(如氩气或氮气)、真空和特殊混合气体。这使它们适用于各种工艺,包括氧化、还原、退火和化学气相沉积 (CVD)。许多炉型都配有真空就绪设计和气体控制系统,可实现精确的气氛管理。

使用 PECVD 设备可以沉积哪些材料?

PECVD 设备可沉积各种材料,包括氮化硅 (SiN) 和碳化硅 (SiC),这些材料在半导体和高温微机电系统应用中特别有用。这些设备用途广泛,可用于制造具有定制特性的薄膜,以满足特定的工业和研究需求。

旋转炉能否针对特定应用进行定制?

是的,旋转炉可根据具体应用进行定制。它们有各种配置,包括不同的加热区、可调节的倾斜角度和 360° 旋转功能。定制选项还包括真空和可控气氛设置,以满足研究或生产环境的精确需求。

为什么 MPCVD 是金刚石生长的首选?

MPCVD 是金刚石生长的首选方法,因为它能提供高密度的带电粒子和活性物质,能在较低的压力下沉积大面积的金刚石薄膜,并能确保所生长的薄膜具有更好的均匀性。这些特点可生产出高纯度、高质量的金刚石,并能精确控制其特性。

是什么让 KINTEK 管式炉与众不同?

KINTEK 管式炉因其精确的温度控制(某些型号可提供高达 100°C/sec 的快速加热)、可定制的加热区(1 至 10 区)、真空就绪设计和安全认证而脱颖而出。它们为材料合成、CVD、烧结和半导体研究等先进应用提供多功能解决方案,并提供旋转机构、分室和等离子增强配置等选项。

为什么 PECVD 比其他沉积方法更受青睐?

与其他沉积方法相比,PECVD 更受青睐,因为它可以在较低的基底温度下进行沉积,提供良好的阶跃覆盖率,并实现高度均匀的薄膜沉积。它还能很好地控制折射率、应力和硬度等材料特性,因此非常适合需要精确薄膜特性的应用。
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This machine is a game-changer! The plasma enhancement works flawlessly, and the inclined rotary design is brilliant.

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Worth every penny! The build quality is exceptional, and it’s incredibly user-friendly.

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Fast delivery and outstanding performance. This machine has revolutionized our lab’s workflow.

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