等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种多用途技术,能够生成各种厚度均匀、附着力强、抗开裂的高质量薄膜或超薄薄膜。这些薄膜包括硅基材料(氮化物、氧化物、氧氮化物、非晶硅)、电介质、低 K 电介质、金属氧化物、氮化物、碳基材料以及具有疏水性和抗菌性等特殊性能的保护涂层。PECVD 能够沉积晶体和非晶体材料,还能为复杂的几何形状镀膜,这使其在半导体、光学和防护涂层等行业中具有重要价值。
要点说明:
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硅基薄膜
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PECVD 擅长沉积各种硅基薄膜,包括
- 氮化硅 (SiNx) - 用于半导体的钝化和绝缘
- 二氧化硅(SiO2)--栅极电介质和层间绝缘的必需品
- 氧化硅(SiOxNy)--用于光学应用的可调折射率
- 非晶硅(a-Si:H)--对太阳能电池和薄膜晶体管至关重要
- TEOS SiO2 - 为复杂结构提供保形阶跃覆盖
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PECVD 擅长沉积各种硅基薄膜,包括
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介质和低 k 薄膜
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化学气相沉积反应器][/topic/chemical-vapor-deposition-reactor]可以生产:
- 用于绝缘的标准电介质(SiO2、Si3N4
- 用于降低先进集成电路电容的低 k 电介质(SiOF、SiC
- 这些薄膜可在现代芯片中实现高宽比特征的无空隙填充。
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化学气相沉积反应器][/topic/chemical-vapor-deposition-reactor]可以生产:
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保护性和功能性涂层
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PECVD 制作的纳米薄膜涂层具有以下特性
- 户外电子产品的疏水性和防水性
- 医疗设备的抗菌性能
- 航空航天部件的抗腐蚀/抗氧化性
- 举例说明:氟碳聚合物在恶劣环境中具有化学惰性。
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PECVD 制作的纳米薄膜涂层具有以下特性
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材料灵活性
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与传统的 CVD 不同,PECVD 可处理以下材料
- 金属和金属氧化物(如用于屏障的 Al2O3)
- 氮化物(如用于硬涂层的 TiN)
- 聚合物(用于柔性电子产品的有机硅)
- 支持晶体(多晶硅)和非晶(a-Si)相。
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与传统的 CVD 不同,PECVD 可处理以下材料
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几何适应性
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复杂三维结构上的均匀涂层
- 具有曲面的医疗植入物
- 高纵横比的微机电系统设备
- 通过等离子体的定向控制和低温加工实现。
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复杂三维结构上的均匀涂层
您是否考虑过这些多功能薄膜如何实现柔性显示器或自清洁表面等创新?该技术将材料多样性与精确沉积相结合的能力将继续重新定义纳米制造的可能性。
汇总表:
薄膜类型 | 关键材料 | 关键材料 |
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硅基 | SiNx、SiO2、a-Si:H | 半导体、太阳能电池 |
电介质 | SiOF, SiC | 先进集成电路、绝缘 |
保护涂层 | 氟碳聚合物 | 医疗器械、航空航天 |
金属氧化物/氮化物 | Al2O3、TiN | 屏障、硬涂层 |
几何适应性 | 共形涂层 | MEMS 和 3D 医疗植入物 |
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