选择高纯度氧化物靶材（如 Cu2O 和 Ga2O3）的根本原因在于它们能更好地控制所得薄膜的化学 计量比 和 相纯度。与金属靶材不同，氧化物靶材可以直接将氧引入溅射过程，这对于形成 p 型半导体性能所需的特定 Delafossite 结构 至关重要。
使用氧化物靶材通过提供预氧化源材料，简化了复杂三元化合物的沉积。这确保了铜、镓和氧的比例保持一致，有利于生长具有可预测电子特性的高质量 CuGaO2 薄膜。
化学计量精确度的挑战
三元氧化物的复杂性
制造 CuGaO2 比简单的二元氧化物更困难，因为它需要在富氧晶格中精确地保持铜与镓 1:1 的比例。
使用金属靶材时，该过程依赖于 反应溅射，即将氧气引入腔室以与金属原子反应。
这种反应过程的平衡性极难掌握，常常导致“靶材中毒”或生成金属含量过高或缺氧的薄膜。
预氧化源的优势
高纯度氧化物靶材（Cu2O 和 Ga2O3）提供了一个稳定的源，其中金属-氧键已经存在。
这最大限度地减少了在 射频磁控溅射 过程中对气态氧环境的依赖。
其结果是更可重复的沉积过程，能够准确地将靶材的化学成分反映在最终的薄膜中。
促进 Delafossite 相的形成
实现 P 型导电性
Delafossite 相 是一种特定的晶体排列方式，它能够实现宽带隙半导体的 P 型导电性。
氧含量或金属比例的微小偏差很容易导致形成副相，如 CuO 或 Ga2O3，从而破坏所需的电学性能。
通过使用氧化物靶材，研究人员可以更轻松地调整工艺参数以稳定 CuGaO2 相。
相形成的や
从氧化物靶材溅射降低了形成正确三元晶体结构的や垒。
由于各组分以氧化状态到达基板，它们在生长或后续退火过程中更有可能组织成 Delafossite 晶格。
这种化学上的“先发优势”往往是功能性半导体和高电阻非晶薄膜之间的区别所在。
理解权衡
溅射产额和沉积速率
一个显著的权衡是，氧化物靶材 的溅射产额通常低于纯金属靶材。
这导致沉积速率较慢，可能会增加生长特定厚度薄膜所需的时间。
然而，对于高性能电子器件而言，薄膜质量 和 电学一致性 的提升远远超过了生产速度的损失。
靶材的脆性和热应力
氧化陶瓷比金属更易碎，在高热负荷下容易开裂。
这需要仔细控制施加到磁控管上的 射频功率，以防止靶材失效。
使用金属靶材可能允许更高的功率密度，但由此产生的薄膜通常缺乏先进应用所需的化学计量精确度。
如何将此应用于您的项目
为您的目标做出正确选择
- 如果您的主要关注点是相纯度和 P 型性能： 使用高纯度 Cu2O 和 Ga2O3 靶材 以确保获得正确的 Delafossite 结构。
- 如果您的主要关注点是简单氧化物的高通量生产： 带有反应溅射的金属靶材可能是可行的，尽管它们很少推荐用于 CuGaO2 等复杂三元材料。
- 如果您的主要关注点是缺陷化学研究： 氧化物靶材允许您精确地改变氧气流速，以研究微小的化学计量变化如何影响空穴迁移率。
通过优先使用氧化物靶材进行化学计量控制，您可以确保 CuGaO2 薄膜的技术完整性和功能性能。
总结表：
| 特性 | 氧化物靶材 (Cu2O/Ga2O3) | 金属靶材 (Cu/Ga) |
|---|---|---|
| 化学计量控制 | 优秀（预氧化源） | 困难（需要反应溅射） |
| 相纯度 | 高（稳定 Delafossite 结构） | 可变（存在副相风险） |
| 沉积速率 | 较慢（溅射产额较低） | 较快（溅射产额较高） |
| 工艺稳定性 | 高（化学比例一致） | 较低（易发生靶材中毒） |
| 最佳应用 | 高性能 P 型半导体 | 高通量简单氧化物 |
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