PECVD（等离子体增强化学气相沉积）设备中的真空室是一个关键部件，旨在促进受控条件下的精确薄膜沉积。其主要特点包括不锈钢结构、电容耦合设计以及加热、配气和等离子生成系统的集成。该室支持高温操作（高达 1000°C）、可调节的样品旋转以及通过喷淋头电极进行的均匀气体分配。观察窗、冷却通道和排气口等附加功能增强了从半导体制造到保护涂层等各种应用的功能性。
要点说明：
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材料和结构
- 材质 不锈钢 (直径 245 毫米×高 300 毫米），经久耐用，耐腐蚀。
- 包括 集成冷却通道 以管理运行期间的热负荷。
- 前门设计，方便进出和维护。
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加热和温度控制
- 支持 样品加热 从室温加热到 超过 1000°C 精度为 精度为 ±1°C .
- 配有 加热压盘 (直径 100 毫米的样品架），以实现均匀的热分布。
- 温度控制器可确保稳定性，这对非晶硅或氮化物沉积等工艺至关重要。
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气体分配和等离子生成
- 使用 淋浴喷头 (100 毫米喷头）同时作为气体分配器和 射频电极 产生等离子体。
- 可调节的气体喷雾间距（40-100 毫米）优化了薄膜的均匀性。
- 射频能量（典型频率为 13.56 MHz）可电离气体，与传统的 CVD 相比，可实现低温沉积。
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样品处理和旋转
- 可旋转样品台 (1-20 rpm），可最大限度地减少阴影效应，从而提高涂层的均匀性。
- 晶片下方的排气口可有效清除副产品气体。
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附加功能
- 100 毫米观察窗 带挡板，用于过程监控，无污染风险。
- 兼容各种涂层（如氧化物、氮化物、碳氟化合物等聚合物），应用灵活。
- 设计紧凑，配有 触摸屏控制 便于用户操作。
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应用
- 非常适合沉积 疏水性 , 防腐蚀 或 介质薄膜 (如 SiO₂、Si₃N₄）。
- 可用于半导体器件、光学镀膜和保护层。 mpcvd 机器 技术。
沉积室的设计兼顾了精确性（如温度控制）、灵活性（材料兼容性）和可扩展性（单晶片处理），使其成为先进材料合成不可或缺的工具。这些功能如何满足您的特定沉积需求？
汇总表：
| 功能 | 说明 |
|---|---|
| 材料 | 不锈钢（直径 245 毫米×高 300 毫米），带冷却通道。 |
| 温度范围 | 通过加热压盘最高可达 1000°C，精度为 ±1°C。 |
| 气体分布 | 喷淋头喷嘴（100 毫米），用于产生均匀的气体流和射频等离子体。 |
| 样品处理 | 可旋转工作台（1-20 转/分钟），最大限度地减少阴影效应。 |
| 附加功能 | 观察窗、排气口和触摸屏控制，使用方便。 |
| 应用 | 半导体制造、光学镀膜和保护膜。 |
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