等离子体增强化学气相沉积系统 等离子体增强化学气相沉积系统 支持最大 6 英寸的晶片尺寸，这一点已得到多个参考文献的证实。这一标准尺寸可满足各种薄膜沉积需求，同时兼顾工艺效率和设备可扩展性。该系统的设计（包括 205 毫米加热下电极）与这种晶片容量相匹配，可为半导体、光学和阻挡膜应用提供均匀的涂层。
要点说明：
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支持的最大晶片尺寸
- 系统处理的晶片 直径达 6 英寸（150 毫米） 直径，这是研究和中试生产的常用尺寸。
- 这一容量在三个独立的参考文献中都有明确说明，确保了可靠性。
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设备设计兼容性
- 设备 205 毫米的下电极 (大于 6 英寸晶圆），确保了沉积过程中等离子体的均匀分布和温度控制。
- A 160 毫米抽气孔 保持稳定的真空条件对薄膜质量的一致性至关重要。
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6\" 工艺优势晶片的工艺优势
- 低温沉积 (PECVD）可防止较大晶片产生热应力。
- 参数斜坡软件 可精确控制整个晶片表面的薄膜特性。
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典型应用
- 半导体:硅基绝缘层的沉积。
- 包装:用于食品/药品的气体阻隔薄膜（如氧气/水分保护）。
- 光学/涂层:类金刚石碳 (DLC) 耐磨损。
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可扩展性考虑
- 虽然 6 英寸是参考的最大值，但较小的晶圆（如 4 英寸）也可以使用相同的系统进行处理。
- 气荚 12 线气体吊舱 支持多种前驱气体，无需改变硬件即可定制薄膜。
对于大批量生产，用户应确认是否有更大的系统（如 8 英寸或 12 英寸），因为该型号侧重于满足中等规模需求的多功能性。加热电极、气体控制和等离子均匀性的组合使其成为原型或特殊涂层的理想选择。
汇总表：
| 功能 | 规格 |
|---|---|
| 最大晶片尺寸 | 6 英寸（150 毫米） |
| 下电极尺寸 | 205 毫米（确保等离子体分布均匀） |
| 抽气口 | 160 毫米（保持真空稳定性） |
| 主要应用 | 半导体、阻挡膜、光学涂层（如 DLC） |
| 可扩展性 | 兼容更小的晶片（如 4 英寸）和多种前驱体气体 |
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