化学气相沉积（CVD）系统能够合成各种异质结构，并精确控制材料成分和界面特性。这些系统，包括 LPCVD 和 PECVD 等专业变体，有助于利用二维材料和薄膜创建垂直和横向配置，用于先进的电子和光电应用。
要点说明：
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垂直异质结构
- 通过连续沉积不同的二维材料（如 GaSe/MoSe₂）实现
- 实现量子约束效应和定制的光电子带排列
- 通常在多区 真空炉系统 可控大气条件
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侧向异质结构
- 以同位素 MoS₂ 域等材料之间的面内结为特征
- 通过 CVD 室中的选择性区域生长或边缘外延技术产生
- 对于在晶体管架构中构建低电阻互连至关重要
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材料组合
- 基于 TMDC:用于可调带隙光电探测器的 MoS₂/WS₂
- 碳/陶瓷:用于高移动性电子基底的石墨烯/h-BN
- 金属/氧化物:用于扩散屏障的钨/氧化铝叠层
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CVD 系统变化
- LPCVD:在减压条件下均匀生长 TMDC 异质结构的首选方法
- PECVD:实现氮化物异质层的低温合成
- MOCVD:促进 III-V 族半导体异质外延（如 GaAs/AlGaAs）
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新兴应用
- 用于单光子发射器的量子点异质结构
- 用于自旋电子学的拓扑绝缘体/石墨烯混合物
- 用于神经形态计算的相变材料异质堆栈（如 Ge₂Sb₂Te₅）。
现代 CVD 系统的适应性使研究人员能够以原子级精度设计异质结构，满足从柔性电子到量子技术的各种需求。哪些材料特性对您的特定应用要求最为关键？
汇总表：
| 异质结构类型 | 材料示例 | 关键应用 | 首选 CVD 方法 |
|---|---|---|---|
| 垂直 | GaSe/MoSe₂ | 光电，量子器件 | 多区真空 CVD |
| 侧面 | MoS₂/WS₂ | 晶体管互连器件 | 选择性区域 CVD |
| 基于 TMDC | 石墨烯/h-BN | 高移动性电子器件 | LPCVD |
| 金属/氧化物 | 钨/氧化铝 | 扩散屏障 | PECVD |
| III-V 半导体 | 砷化镓/砷化镓 | 量子点发射器 | MOCVD |
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