在改进的物理气相传输（PVT）工艺中，高纯石墨坩埚和盖发挥着各自关键的作用，从而能够生长氮化铝（AlN）晶体。坩埚作为熔融源材料的导热容器，而盖子则作为晶体物理成核和生长的主要基底。
改进的PVT工艺的成功依赖于高纯石墨的双重特性：它为下方的熔体源提供了所需的热均匀性，并为上方的晶体成核表面提供了所需的化学稳定性。
石墨坩埚的作用
容纳源材料
坩埚的主要功能是安全地容纳铜铝合金熔体。该合金在传输过程中作为所需的铝元素源材料。
确保热均匀性
坩埚不仅仅是一个容器；它还是热调节的积极参与者。
选择高纯石墨是因为其优异的导热性。这一特性确保热量均匀分布在铜铝合金中，防止可能破坏气相传输稳定性的温度梯度。
坩埚盖的功能
作为生长基底
坩埚盖在晶体形成中起着最直接的作用。它作为该工艺的主要基底。
在操作过程中，氮化铝（AlN）晶体自发地在盖子的下表面成核并沉积。该表面决定了单晶的初始形成和后续生长。
提供化学稳定性
AlN的生长环境非常极端，涉及1700°C的高温和富氮气氛。
石墨盖必须在这些条件下保持化学稳定性。它在不降解的情况下承受高温和活性氮的能力，可确保在整个循环中生长界面的结构完整性得到维持。
关键考虑因素和限制
高纯度的必要性
虽然石墨很坚固，但“高纯度”的要求是不可协商的。
石墨晶格中存在的任何杂质都可能在1700°C时浸出。这将污染铜铝熔体或正在生长的AlN晶体，从而破坏最终产品的半导体性能。
高温下的材料完整性
尽管参考资料提到了在1700°C下的稳定性，但这已接近许多标准材料在活性环境中的上限。
操作员必须确保所选的特定等级的石墨额定值能够承受这些特定的热负荷。否则可能导致盖子发生机械故障，使正在生长的晶体脱落或坩埚破裂。
优化生长环境
为了获得高质量的AlN晶体，您必须选择符合您特定工艺控制的石墨组件。
- 如果您的主要关注点是熔体稳定性：优先考虑坩埚的热导率规格，以确保铜铝合金均匀加热，没有热点。
- 如果您的主要关注点是晶体成核：确保坩埚盖使用最高纯度的等级，以防止生长界面发生化学污染。
通过严格控制这些石墨组件的质量，您可以建立高质量氮化铝生产所需的稳定热学和化学基础。
总结表：
| 组件 | 主要作用 | 关键材料特性 |
|---|---|---|
| 石墨坩埚 | 容纳铜铝熔体源 | 高导热性 |
| 坩埚盖 | 作为生长基底（成核） | 1700°C下的化学稳定性 |
| 高纯石墨 | 防止晶体污染 | 极高的耐热性 |
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