CVD 系统的压力范围从大气压（760 托）到高真空度（<5 mTorr），通过机械泵和节流阀控制实现。这些系统展示了从电子到航空航天等各种工业应用的多功能性，具有精确的气体流量管理（0-500 sccm）和最高 1700°C 的温度控制，具体取决于管材材料。其真空能力属于高真空炉范畴（10^-3 至 10^-6 托），适用于各种材料加工需求。
要点说明：
-
压力范围和控制机制
- 工作压力范围 0-760 托 (大气压至近真空）。
- 使用 节流阀 用于调节压力
- 基本真空度为 <5 mTorr 通过机械泵实现
- 分类为 高真空炉系统 (10^-3 至 10^-6 托范围)
-
温度和试管材料兼容性
- 石英管:最高 1200°C（标准 CVD 工艺的理想选择）
- 氧化铝管:适用于高温应用，温度可达 1700°C
- 选择取决于材料的兼容性（如石墨烯与陶瓷涂层）
-
气体流量和过程控制
- 双气体通道 (氩气/氢气），流量为 0-500 sccm 流量
- 质量流量控制器确保反应物的精确输送
- 计算机化系统保持热量均匀分布
-
工业应用
- 电子产品:半导体晶片涂层
- 能源:太阳能电池板抗反射层
- 先进材料:用于显示器/水过滤的石墨烯生产
-
设计灵活性
- 适用于 1 英寸和 2 英寸石英管
- 支持通过真空烧结对硬质合金/陶瓷进行批量加工
是否想过这些精确的压力范围是如何使您的智能手机屏幕上的涂层达到纳米级厚度的？ 真空控制和温度稳定性之间的协同作用使 CVD 系统能够逐原子沉积材料，悄然为从消费电子到可持续能源等行业带来革命性的变化。
汇总表：
| 功能 | 规格 |
|---|---|
| 压力范围 | 0-760 托（大气压至近真空） |
| 基本真空 | <5 mTorr（高真空炉类别） |
| 温度范围 | 最高 1700°C（取决于管材材料） |
| 气体流量控制 | 0-500 sccm（双气体通道） |
| 应用领域 | 电子、能源、先进材料 |
| 设计灵活 | 支持 1 英寸和 2 英寸石英管 |
利用 KINTEK 先进的 CVD 系统释放精密材料加工的潜力！ 无论是半导体晶片涂层还是石墨烯生产，我们的高真空炉都能为您提供无与伦比的控制和定制服务。我们利用内部研发和制造专长，为您独特的实验需求提供量身定制的解决方案。 立即联系我们 讨论我们的 CVD 系统如何提升您的实验室能力！
