PECVD（等离子体增强化学气相沉积）设备中的真空系统对于维持薄膜沉积所需的低压环境至关重要。主要规格包括 KF40 吸气口和 G1 英寸排气口，氮气排气速度为 60 升/秒，带保护网的排气速度为 55 升/秒。该系统使用带油脂润滑的陶瓷轴承，强制风冷，运行速度为 69,000 rpm。它配备了一个 TC75 分子泵控制器和一个排气速度为 160 升/分钟的双级旋片真空泵。N2 的压缩比为 2x10^7，H2 的压缩比为 3x10^3，最大允许背压为 800Pa，轴承寿命为 20,000 小时。启动和停止时间分别为 1.5-2 分钟和 15-25 分钟。这些规格可确保高效稳定的运行，对于半导体制造和光学镀膜等应用中的高质量薄膜沉积至关重要。
要点说明：
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端口配置和排气速度
- KF40 吸入口和 G1 英寸排气口:标准化连接确保与其他真空元件兼容。
- 排气速度 ：氮气为 60 升/秒（带保护网时为 55 升/秒），这表明泵送效率很高，对于在沉积过程中保持低压条件至关重要。
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机械和操作细节
- 采用油脂润滑的陶瓷轴承:在高速运转（69,000 rpm）时，可提高耐用性并减少摩擦。
- 强制风冷:防止长时间运行时过热。
- 启动/停止时间:1.5-2分钟（启动）和15-25分钟（停止）反映系统的响应速度和安全协议。
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性能指标
- 压缩比 ：2x10^7 用于 N2，3x10^3 用于 H2，确保在不同工艺条件下有效处理气体。
- 最大背压 最大背压： 800Pa 限制可防止系统因超压而损坏。
- 轴承寿命 ：20,000 小时，这表明轴承具有长期可靠性，可降低维护成本。
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集成组件
- TC75 分子泵控制器:可精确控制真空度。
- 双级旋片泵（160 升/分钟）:与分子泵配合使用，实现高效气体抽排。
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更广泛的系统背景
- PECVD 设备，包括 mpcvd 机器 在真空系统与射频增强反应器（如平行板或感应式设计）集成后，可产生均匀的等离子体。
- 原位等离子清洗和温控晶圆级（20°C-1200°C）等功能补充了真空系统在实现高纯度沉积方面的作用。
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应用考虑因素
- 真空系统的规格直接影响太阳能电池、微机电系统和阻隔涂层等应用中的薄膜质量。例如，低成膜温度（<400°C）可在热敏基底上沉积。
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维护和使用寿命
- 定期监测轴承寿命和背压阈值可确保持续性能，符合半导体制造工具的行业标准。
通过了解这些规格，采购商可以评估与其工艺要求的兼容性，平衡速度、精度和运行寿命。坚固耐用的真空系统与先进的 PECVD 反应器的集成体现了现代微电子和纳米技术的悄然发展。
总表：
| 规格 | 详细信息 |
|---|---|
| 端口配置 | KF40 吸气口，G1 英寸排气口 |
| 排气速度 | 60升/秒（N₂），55升/秒（带保护网） |
| 轴承和冷却 | 陶瓷轴承（油脂润滑），强制风冷，69,000 rpm |
| 压缩比 | 2×10⁷ (n₂), 3×10³ (h₂) |
| 最大背压 | 800Pa |
| 轴承寿命 | 20,000 小时 |
| 启动/停止时间 | 1.5-2 分钟（启动），15-25 分钟（停止） |
| 集成组件 | TC75 分子泵控制器，双级旋片泵（160 升/分钟） |
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