热氧化炉的功能是作为高温反应器，在1200°C下促进硅和氧气之间的精确化学反应。这个过程会生长一层高质量的二氧化硅（$\text{SiO}_2$）薄膜，厚度约为1微米，它既是制造工具，也是MEMS压力传感器的关键保护屏障。
通过将晶圆置于极高的温度下，炉子创建了一个双重用途的层，既作为干法刻蚀过程中的坚固掩模，又作为永久性的钝化屏障，密封铝硅结构，防止环境退化。
层形成机制
高温合成
炉子的核心功能是创造一个硅能够与氧气发生化学键合的环境。
该反应在1200°C的温度下进行，确保了稳定和均匀的生长过程。
精确的厚度控制
此热处理周期的目标是生长特定厚度的二氧化硅。
对于MEMS压力传感器，目标是约1微米厚的薄膜。这个特定的厚度经过计算，可以提供足够的结构完整性，同时不影响传感器的机械性能。
传感器制造中的关键功能
作为干法刻蚀掩模
在传感器成为成品之前，它必须经过成型过程。
炉中生长的二氧化硅层在后续的干法刻蚀步骤中用作坚韧的掩模。它保护晶圆的特定区域，同时允许其他区域被加工，从而定义传感器的物理几何形状。
提供环境钝化
一旦制造完成，氧化层将过渡到其长期作用。
它充当钝化层，有效地隔离敏感的铝硅混合结构。这可以防止水分或污染物等环境因素腐蚀或改变器件的电特性。
理解工艺影响
高温的必要性
1200°C的要求并非随意，而是生产“高质量”薄膜所必需的。
较低的温度可能会导致多孔或机械强度较弱的氧化层，无法保护下方的铝硅结构。
双重角色的依赖性
制造阶段和运行阶段之间存在关键的依赖性。
因为薄膜首先充当刻蚀掩模，所以初始生长必须足够坚固，能够承受刻蚀过程，并且仍然留下足够的材料作为保护性钝化层。如果初始生长太薄，器件在实际使用中可能缺乏足够的隔离。
确保传感器可靠性
如果您的主要关注点是制造效率： 确保氧化层生长到完整的1微米厚度，以承受干法刻蚀过程的侵蚀而不失效。
如果您的主要关注点是长期可靠性： 优先考虑高温（1200°C）的一致性，以确保铝硅结构与环境影响进行气密密封。
热氧化炉是将原材料硅转化为耐用、耐环境的传感器界面的基础工具。
总结表：
| 特征 | 规格/功能 | 优势 |
|---|---|---|
| 温度 | 1200°C | 确保高密度、高质量的SiO2合成 |
| 薄膜厚度 | 约1微米 | 刻蚀掩模和保护的理想平衡 |
| 刻蚀掩模作用 | 坚韧的屏障 | 在精确的干法刻蚀过程中保护硅 |
| 钝化 | 气密密封 | 隔离Al-Si结构免受环境腐蚀 |
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