PECVD（等离子体增强化学气相沉积）系统专为高效薄膜沉积而设计，具有先进的控制功能。主要规格包括 80°C 的腔体加热、双射频（30/300W）和低频（600W，50-460kHz）发生器以及具有高排气速度的真空系统。该系统支持最大 460 毫米的基底处理，提供 20°C 至 400°C 的温度控制（可扩展至 1200°C），并具有用于应力控制和原位等离子清洗的射频开关等功能。其紧凑的设计、触摸屏界面和节能操作使其适用于各种工业应用。
要点说明：
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发电和等离子控制
- 射频发生器:30W 和 300W 可选，可实现精确的等离子控制。
- 低频发生器 低频发生器：600W 固态发生器，工作频率为 50-460kHz，提高了沉积的灵活性。
- 等离子创建:利用射频、交流或直流放电电离气体，实现低温反应。了解更多 等离子体增强化学气相沉积系统 .
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腔体和电极设计
- 加热室壁:保持在 80°C 以获得稳定的沉积条件。
- 电极尺寸 ：240 毫米和 460 毫米选项，支持直径达 460 毫米的晶片。
- 温度范围:下电极可将基底温度从 20°C 加热到 400°C（高温工艺可选 1200°C）。
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真空系统
- 泵配置:双级旋转叶片泵（160 升/分钟）与 TC75 控制的分子泵配对使用。
- 排气速度 ：氮气 60 升/秒，带保护网 55 升/秒。
- 压缩比 N₂为 2×10⁷，H₂为 3×10³，最大背压为 800Pa。
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气体和过程控制
- 气体舱:12 管路系统，配有质量流量控制 (MFC) 管路，可实现精确的气体输送。
- 掺杂剂和前驱体:支持各种掺杂剂和液体前驱体，可定制薄膜特性。
- 软件:用于自动工艺调整的参数斜坡。
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运行功能
- 射频切换:调整沉积薄膜的应力水平。
- 原位清洁:带有端点检测功能的等离子清洗可减少停机时间。
- 触摸屏界面:集成控制，使用方便。
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能效和产量
- 更低的运行温度可降低能耗。
- 更快的沉积速度和紧凑的设计提高了吞吐量。
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维护和耐用性
- 陶瓷轴承:油脂润滑，使用寿命达 20,000 小时。
- 强制空气冷却:确保长时间运行时性能稳定。
这些规格突出了该系统在研究和生产方面的多功能性，兼顾了精度、效率和用户友好型操作。
汇总表：
| 功能 | 规格 |
|---|---|
| 功率发生器 | 双射频（30W/300W）+低频（600W，50-460kHz）发生器 |
| 腔体加热 | 80°C 炉壁，基底加热（20°C-400°C，可延长至 1200°C） |
| 真空系统 | 160 升/分钟旋转泵 + TC75 分子泵，60 升/秒排气速度 (N₂) |
| 气体控制 | 用于掺杂剂/前驱体的 12 线 MFC 气体吊舱 |
| 操作功能 | 射频应力切换、原位等离子清洗、触摸屏界面 |
| 能源效率 | 低温运行、设计紧凑、沉积速率更快 |
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