化学气相沉积（CVD）是一种用途广泛的薄膜沉积技术，按操作压力和加热系统分为不同的类型。主要类型包括基于加热方法的热壁和冷壁 CVD，以及基于压力条件的常压、低压和等离子体增强型 CVD。这些方法适用于从半导体到耐磨涂层的各种工业应用，其性能在很大程度上取决于正确的系统选择和工艺优化。
要点说明：
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加热系统分类
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热壁 CVD:
- 使用外部加热器均匀加热反应腔壁和基底
- 在所有加热表面（反应室壁和基底）形成沉积
- 温度均匀性更好，但沉积效率较低
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冷壁 CVD:
- 只对基底进行选择性加热
- 最大限度地减少腔壁沉积
- 提供更高的沉积率和纯度
- (mpcvd machine)[/topic/mpcvd-machine]是使用微波等离子体的先进冷壁变体
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热壁 CVD:
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基于压力的分类
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常压 CVD (APCVD)
- 在标准大气压下运行
- 系统设计简单，但容易发生气相反应
- 常见于工业规模的涂层应用
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低压 CVD (LPCVD)
- 在较低压力（0.1-10 托）下运行
- 可在更高温度下运行（500-900°C）
- 可生产高度均匀的保形涂层
- 在半导体晶片加工中占主导地位
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等离子体增强型 CVD (PECVD)
- 使用等离子体代替热能进行沉积
- 在低温（300-350°C）下运行
- 温度敏感基底的理想选择
- 可实现独特材料特性的沉积
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常压 CVD (APCVD)
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工业应用
- 半导体制造（硅/石墨烯沉积）
- 透镜/反射镜的光学涂层
- 切削工具的耐磨涂层
- 生物医学植入涂层
- 航空航天部件保护
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工艺优化因素
- 基底制备（清洁、表面活化）
- 前驱体气体选择和流量控制
- 温度/压力曲线优化
- 沉积后处理（退火等）
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设备注意事项
- 加热元件类型（MoSi2、电阻式、感应式）
- 腔室材料（石英、氧化铝）
- 监控功能（视口、传感器）
- 生产量的可扩展性
在这些 CVD 变体之间做出选择取决于应用要求，包括沉积质量、产量、材料兼容性和预算限制。现代系统通常将多种方法结合起来，以达到最佳效果。
汇总表：
| 心血管疾病类型 | 主要特点 | 最适合 |
|---|---|---|
| 热壁 CVD | 加热均匀，沉积效率较低 | 需要稳定温度控制的应用 |
| 冷壁 CVD | 选择性基底加热，纯度更高 | 高精度涂层、金刚石薄膜等先进材料 |
| 气相化学气相沉积 | 设计简单，在常压下运行 | 工业级涂层 |
| LPCVD | 减压（0.1-10 托）、高均匀性 | 半导体晶片加工 |
| PECVD | 低温等离子活化（300-350°C） | 温度敏感基底（如聚合物、生物医学植入物） |
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