PECVD（等离子体增强化学气相沉积系统）平台可适应各种基底尺寸，以满足不同的应用需求，常见尺寸包括 50 mm x 50 mm、100 mm x 100 mm 和 150 mm x 150 mm，晶圆尺寸最大可达 6 英寸。这些系统用途广泛，能够在碳化钨、陶瓷和其他兼容材料制成的基底上沉积电介质、氮化物和金属等各种材料。它们对不同基底形状和尺寸的适应性使其适用于从半导体制造到先进材料研究等多个行业。
要点说明：
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支持的标准基底尺寸
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PECVD 系统通常支持以下尺寸的正方形基底：
- 50 毫米 × 50 毫米
- 100 毫米 × 100 毫米
- 150 毫米 × 150 毫米
- 对于晶圆应用，这些系统可处理的尺寸最大可达 6 英寸 直径，满足半导体制造需求。
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PECVD 系统通常支持以下尺寸的正方形基底：
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PECVD 的材料多样性
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这些系统可沉积多种材料，包括
- 电介质（如 SiO₂、Si₃N₄ 等）
- 低介电常数电介质（如 SiOF、SiC）
- 氮化物（如 SiNₓ）
- 金属和混合结构
- 该技术可实现 原位掺杂 为光电子或 MEMS 等特殊应用增强功能。
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这些系统可沉积多种材料，包括
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基底兼容性
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PECVD 适用于多种基底材料，例如
- 碳化钨和工具钢（用于耐磨涂层）
- 高温镍合金（用于航空航天部件）
- 陶瓷和石墨（用于热能或电气应用）
- 系统适用于 平面、曲面或多孔结构 即使在复杂的几何形状上，也能确保均匀的薄膜沉积。
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PECVD 适用于多种基底材料，例如
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跨行业应用
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基底尺寸和材料兼容性方面的灵活性使 PECVD 成为以下应用的理想选择：
- 半导体器件制造（如氮化硅钝化层）
- 光学涂层（如抗反射氧化硅薄膜）
- 工业工具的保护涂层
- 其沉积能力 保形、无空隙薄膜 确保先进技术所需的高质量结果。
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基底尺寸和材料兼容性方面的灵活性使 PECVD 成为以下应用的理想选择：
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面向未来
- 支持 150 毫米 × 150 毫米基板 和 6 英寸晶圆 PECVD、PECVD 和 PECVD 系统符合下一代设备的大规模生产和集成趋势。
- 该技术对新材料（如碳基层）的适应性使其成为柔性电子或储能等新兴领域的基石。
有关系统功能的更多详情，请浏览我们的以下资源 等离子体增强化学气相沉积系统 .
汇总表：
| 功能 | 详细信息 |
|---|---|
| 标准基底尺寸 | 50 mm × 50 mm、100 mm × 100 mm、150 mm × 150 mm 以及最大 6 英寸晶圆 |
| 材料多样性 | 电介质、氮化物、金属和原位掺杂的混合结构 |
| 基底兼容性 | 碳化钨、陶瓷、高温合金和复杂几何形状 |
| 主要应用 | 半导体制造、光学涂层、工业保护膜 |
| 面向未来 | 支持柔性电子和储能等新兴领域 |
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