驱动扩散过程是一种热再分布技术，在从硅片上去除外部掺杂剂源之后进行。通过在纯氮气气氛下将硅片置于高温（通常约为 1100°C）下，该过程促使先前引入的掺杂剂原子扩散到硅衬底更深处，而不会形成氧化层。
核心机制依赖于将浅层、高浓度的表面层转化为更深层、严格控制的高斯分布剖面，利用氮气在热循环期间保护硅免受氧化。
再分布的力学原理
去除外部源
在驱动扩散开始之前，会移除上一步（预淀积）中使用的外部掺杂剂原子供应。
这会创建一个“有限源”扩散场景。硅中的掺杂剂总量保持不变；原子只是重新排列自身。
高温迁移
管式炉加热到高温，例如 1100°C。
在此热能水平下，掺杂剂原子获得穿过晶格运动所需的动能。它们自然地从高浓度区域（表面）迁移到低浓度区域（硅片内部深处）。
氮气环境的作用
防止过度氧化
主要参考资料表明，纯氮气环境对于防止硅片表面形成二氧化硅（$\text{SiO}_2$）至关重要。
如果在这些温度下存在氧气，它会消耗硅以生长氧化层。这会改变界面，并可能干扰表面附近的掺杂剂分布。
创造保护性气氛
氮气起到惰性保护毯的作用，类似于在热处理过程中使用氩气等气体保护金属。
这确保了硅表面的化学成分在内部物理变化（扩散）发生时保持稳定。
分布的物理学
高斯分布定律
由于掺杂剂源仅限于硅片内部已有的掺杂剂，因此产生的浓度分布遵循高斯分布定律。
该数学模型规定，随着驱动扩散时间的增加，表面浓度降低，而结深增加。
剖面展平
在初始预淀积过程中形成的尖锐浓度梯度被平滑。
这导致掺杂区域和衬底之间的过渡更宽、更平缓，这对于许多半导体器件的电气特性至关重要。
理解权衡
温度敏感性
该过程对温度变化高度敏感。即使在 1100°C 附近发生微小波动，也可能显著改变结的最终深度，需要精确的炉温控制。
扩散展宽
驱动扩散将掺杂剂推向更深处的同时，也会使其横向扩散。
如果计算不当，这种横向扩散会缩短器件中的有效沟道长度，或导致相邻组件之间发生短路。
为您的目标做出正确选择
为了优化驱动扩散过程，请根据您的具体器件要求调整参数：
- 如果您的主要重点是增加结深： 提高驱动扩散步骤的温度或时间，以使高斯分布进一步扩展到衬底中。
- 如果您的主要重点是降低表面浓度： 延长驱动扩散时间，使固定数量的掺杂剂原子扩散到更大的体积中，从而自然稀释表面的浓度。
通过平衡热能和保护性氮气气氛，您可以确保对半导体电学特性进行精确、无污染的修改。
总结表：
| 特征 | 驱动扩散过程规范 |
|---|---|
| 核心机制 | 有限源热扩散 |
| 气氛 | 纯氮气 ($N_2$) 以防止 $SiO_2$ 生成 |
| 温度 | 通常在 1100°C 左右 |
| 剖面类型 | 高斯分布（展平梯度） |
| 结果 | 增加结深 & 降低表面浓度 |
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