六方氮化硼（h-BN）薄膜是利用 CVD 管式炉在可控气氛中通过高温工艺合成的，从而实现了对薄膜质量和性能的精确控制。这种方法对于生产无缺陷的 h-BN 薄膜尤为重要，这种薄膜是石墨烯和过渡金属二卤化物 (TMD) 等二维材料的绝佳电介质或基底。该工艺需要仔细调整参数，包括温度、气体流量和压力，以获得最佳效果。先进的熔炉功能（如实时监控和可编程自动化）可确保工业和研究应用的可重复性和可扩展性。
要点说明：
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在 CVD 管式炉中进行高温处理
- h-BN 薄膜通常在超过 1200°C 的高温下生长，以促进化学气相沉积 (CVD)。
- 专用熔炉的温度可超过 1900°C，这对于需要极端条件的高性能材料来说至关重要。
- 高温加热元件 高温加热元件 确保均匀的热量分布，这对稳定薄膜质量至关重要。
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可控气氛和气流
- 精确的气体控制模块可调节进入熔炉的前驱气体（如氨和含硼化合物）。
- 真空系统可用于最大限度地减少杂质和提高薄膜的均匀性。
- 可定制的气体流速和压力设置允许针对特定的 h-BN 薄膜特性进行优化。
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先进的精密炉功能
- 实时监控和可编程自动化可对温度曲线和气流动态进行微调。
- 温度曲线可确保稳定的热条件，减少缺陷并提高薄膜附着力。
- 通过自动控制系统实现了可重复性，使该工艺可扩展到工业应用领域。
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h-BN 薄膜的应用
- h-BN 具有热稳定性和电绝缘特性，是石墨烯和 TMD 等二维材料的理想电介质或基底。
- 保护涂层（如 TiN 或 SiC）可与 h-BN 同时使用，以提高工业环境中工具的使用寿命。
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CVD 管式炉的多功能性
- 除 h-BN 外，这些管式炉还可沉积金属、氧化物、氮化物和碳化物，满足半导体和先进复合材料等不同领域的需求。
- 定制配置（如额外的气体入口或冷却系统）可使管式炉满足专门的研究或生产需求。
利用这些功能，CVD 管式炉为生产高质量 h-BN 薄膜提供了一种可靠且可扩展的方法，可满足研究和工业应用的需求。
总表：
| 主要方面 | 详细信息 |
|---|---|
| 温度范围 | 1200°C 至 1900°C，用于 h-BN 的最佳生长 |
| 气体控制 | 氨和硼前驱体的精确调节 |
| 自动化 | 实时监控和可编程设置，实现可重复性 |
| 应用 | 电介质、2D 材料基底、保护涂层 |
| 多功能性 | 与金属、氧化物、氮化物和碳化物兼容 |
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