等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是现代显示器制造的一项基础技术，可用于生产高性能 LCD 和 OLED 面板。利用等离子体增强 化学气相沉积 在较低温度下，PECVD 可沉积形成显示器功能层的关键薄膜，同时适应对温度敏感的基底。该工艺将 CVD 的精确性与等离子活化相结合，可实现卓越的薄膜质量、更快的沉积速率以及先进显示技术所必需的更强材料特性。
要点说明：
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在显示器制造中的基础作用
- PECVD 可沉积薄膜晶体管 (TFT) 的有源层--每个显示像素的开关元件
- 通过多功能材料沉积，可生产 LCD 和 OLED 显示屏
- 在单一集成工艺中形成介电层、保护层和导电层
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等离子体增强的优势
- 利用射频、交流或直流放电产生电离气体（等离子体），为沉积反应提供能量
- 操作温度（200-400°C）比传统 CVD 低得多
- 实现更快的沉积速率，同时保持出色的薄膜均匀性
- 与热 CVD 相比，薄膜密度更高，针孔更少
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沉积的关键材料
- 氮化硅 (SiN) :TFT 阵列的主介质层和钝化层
- 二氧化硅 (SiO2) :导电层之间的电绝缘
- 非晶硅（a-Si） :用于 TFT 运行的半导体层
- 类钻碳 (DLC) :用于显示器耐用性的保护涂层
- 金属膜（铝、铜） :导电迹线和电极
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实现显示屏生产的系统组件
- 精密气体输送系统（带质量流量控制的 12 线气体吊舱）
- 双电极配置（205 毫米加热下电极 + 上电极）
- 用于过程控制的高级参数斜坡软件
- 用于受控真空环境的 160 毫米抽气孔
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显示应用中的工艺优势
- 可在大面积玻璃基板（8.5 代以上尺寸）上沉积
- 在米级面板上保持薄膜均匀性
- 与用于柔性显示器的温敏聚合物基底兼容
- 可在一个系统中连续沉积多个材料层
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质量和性能优势
- 生产的薄膜在显示屏表面具有极佳的阶跃覆盖率
- 制造对多层显示器堆栈至关重要的低应力涂层
- 实现精确的厚度控制（纳米级精度）
- 通过工艺可重复性实现高产制造
您是否考虑过这项技术是如何让您的智能手机或电视机拥有超薄、节能的显示屏的？正是玻璃下面看不见的 PECVD 层让现代高分辨率屏幕成为可能。
汇总表：
| 主要方面 | PECVD 的优势 |
|---|---|
| 工艺温度 | 200-400°C （比传统 CVD 低） |
| 关键层 | 沉积 SiN、SiO2、a-Si、DLC 和金属膜 |
| 基底兼容性 | 适用于玻璃和柔性聚合物基底 |
| 薄膜质量 | 优异的均匀性、低应力、纳米级精度 |
| 制造规模 | 处理 8.5 代以上大面积面板 |
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