PECVD（等离子体增强化学气相沉积）设备可处理最大 100 毫米（4 英寸）晶圆，旨在为薄膜沉积提供精度、多功能性和高效率。主要特点包括低温处理（<200°C）、兼容各种基底（玻璃、砷化镓等）以及支持多种沉积材料（SiO2、Si3N4、SiOxNy、非晶硅）。该系统集成了先进的等离子体控制（直接/远程 PECVD 或 HDPECVD）、用户友好型操作（触摸屏、紧凑型设计）以及可降低氢含量的无 NH3 Si3N4 沉积技术。这些特点使其成为热灵敏度和薄膜质量要求极高的半导体和生物医学应用的理想之选。
要点说明：
1. 基底兼容性和柔韧性
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更广泛的材料适应性:与超洁净工具不同，该 PECVD 系统适用于各种基底，包括
- 玻璃晶片和玻片
- 砷化镓
- 热敏聚合物（低温加工所致）
- 热优势:工作温度低于 200°C，可防止塑料或预制图案金属等材料降解。
2. 沉积材料和技术
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支持的核心材料:
- 二氧化硅 (SiO2) 作为绝缘层
- 氮化硅（Si3N4）作为介电层/阻挡层（无 NH3 选项可减少 H2 含量）
- 氮化硅（SiOxNy）用于可调光学特性
- 用于光伏/显示应用的非晶硅
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等离子配置:
- 直接 PECVD:用于薄膜均匀生长的电容耦合等离子体
- 远程 PECVD:电感耦合等离子体可减少基片损伤
- HDPECVD:用于高密度、高速率沉积的混合方法（两者相结合 (mpcvd 机器）
3. 主要硬件和操作功能
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设计紧凑，方便用户使用:
- 用于参数控制（气体流量、温度、等离子功率）的集成触摸屏
- 易于安装/清洁，最大限度地减少停机时间
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性能增强:
- 射频 (RF) 增强功能可实现精确的等离子控制
- 快速沉积速率（可通过气体流量/等离子体设置进行调整）
- 晶片尺寸:支持最大 100 毫米（4 英寸）晶圆，是研发或小规模生产的理想之选。
4. 薄膜质量和特定应用的优势
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氮化硅 (Si3N4) 性能:
- 高硬度（约 19 GPa）和杨氏模量（约 150 GPa）
- 医疗设备的生物兼容性
- 卓越的防潮/防离子扩散屏障
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参数控制:可通过以下方式调节薄膜厚度、折射率和密度：
- 气体流速（流速越高，沉积越快）
- 等离子条件（例如，功率密度会影响薄膜粗糙度）
5. 与传统 CVD 相比的比较优势
- 低温加工:避免基底翘曲/应力（与传统 CVD 的 1,000°C 相比）
- 多功能性:适用于精密基底（如柔性电子器件）
- 效率:将快速沉积与高薄膜质量（如低针孔密度）相结合
精确性、适应性和易用性的平衡使 PECVD 成为半导体制造、生物医学涂层和光电研究的基石。该系统既能处理各种材料，又能在低温下保持薄膜的完整性，这凸显了它在现代微制造中的价值。
汇总表：
| 功能 | 优势 |
|---|---|
| 低温加工（<200°C） | 防止聚合物和预图案金属等热敏基底降解。 |
| 兼容多种基底 | 可与玻璃、砷化镓和热敏聚合物配合使用。 |
| 多用途沉积材料 | 支持 SiO2、Si3N4、SiOxNy 和非晶硅。 |
| 先进的等离子控制 | 可选择直接、远程或 HDPECVD 配置，以定制薄膜特性。 |
| 用户友好型操作 | 触摸屏界面和紧凑型设计便于使用和维护。 |
| 无 NH3 Si3N4 沉积 | 减少氢含量，提高薄膜质量。 |
| 100 毫米晶圆支架 | 研发和小规模生产的理想之选。 |
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