等离子体增强化学气相沉积（PECVD）在气体传感器测试结构中的主要功能是在复杂的激光结构化表面上建立可靠的电绝缘屏障。通过沉积约 100 nm 厚的氮化硅（Si3N4）薄膜，该工艺可有效隔离传感器的有源层，防止信号失真。
核心要点：PECVD 之所以必不可少，是因为它克服了在粗糙、激光结构化表面上热氧化引起的绝缘质量差的问题。它确保了氧化镍传感层和硅基板之间完全的电气隔离，保证了传感器读数的准确性。
解决表面粗糙度挑战
选择 PECVD 是由传感器器件的物理形貌驱动的，特别是激光结构化带来的挑战。
热氧化的局限性
在标准的半导体制造中，热氧化通常用于创建绝缘层。然而，在粗糙、激光结构化的表面上，这种方法通常会导致绝缘质量差。
卓越的保形性
PECVD 通过生长一层 100 nm 厚的氮化硅（Si3N4）薄膜来解决这个问题，该薄膜能有效地适应结构化表面。该薄膜充当坚固的屏障，填充了传统氧化方法可能遗漏的间隙并覆盖了不规则之处。
确保电气完整性
除了解决表面粗糙度问题外，Si3N4 层在传感器的电子架构中还起着特定的功能作用。
隔离传感层
气体传感器结构通常由上层的氧化镍（NiO）传感层和下方的导电硅基板组成。这两个组件必须保持电气上的独立，设备才能正常工作。
保持信号准确性
PECVD 沉积的 Si3N4 薄膜可防止 NiO 层和硅基板之间的电气短路和漏电流。为了在运行期间保持传感器信号的准确性和可靠性，这种隔离是不可或缺的。
了解权衡
虽然 PECVD 在此应用中提供了卓越的隔离效果，但它也引入了必须仔细管理的特定工艺变量，以避免缺陷。
参数控制的复杂性
与更简单的热工艺不同，PECVD 需要精确平衡多个变量。必须严格控制气体流量、等离子体功率和腔室压力，以实现正确的薄膜化学计量和密度。
管理薄膜特性
尽管 PECVD 因其较低的工作温度（通常在 380°C 左右）而具有优势，但基板温度仍然对薄膜质量有关键影响。不当的热管理可能导致薄膜过于多孔（绝缘性差）或应力过大（易开裂）。
为您的目标做出正确选择
为确保您的气体传感器正常工作，请遵循以下指南：
- 如果您的主要关注点是信号保真度：使用 PECVD 沉积 Si3N4，因为它能在粗糙表面上提供必要的隔离，以防止 NiO 层和基板之间的电气干扰。
- 如果您的主要关注点是热预算：利用 PECVD 沉积高质量的绝缘薄膜，而无需将基板暴露在传统炉式工艺所需的高温下。
通过利用 PECVD 进行氮化硅沉积，您可以确保气体传感器测试结构的结构完整性和操作精度。
总结表：
| 特性 | 热氧化 | PECVD Si3N4 |
|---|---|---|
| 表面保形性 | 在激光结构化表面上性能差 | 高；覆盖粗糙形貌 |
| 沉积温度 | 非常高（>900°C） | 低（约 380°C） |
| 隔离质量 | 在粗糙区域存在泄漏风险 | 可靠的 100nm 电气屏障 |
| 典型厚度 | 可变 | 精确控制的 100nm |
| 主要作用 | 一般基板绝缘 | 隔离 NiO 传感层 |
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