PECVD 系统的变温台工作温度范围从室温 (RT) 到 600°C，可对各种沉积工艺进行精确的热控制。该温度范围支持低温应用（如敏感基底），同时满足薄膜致密化或特定材料特性的高温要求。该系统的设计可确保基底温度分布均匀，这对电子和航空航天等行业的薄膜质量一致性至关重要，因为在这些行业中，复杂几何形状上的涂层均匀性至关重要。
要点说明：
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温度范围规格
- 化学气相沉积反应器 化学气相沉积反应器 台盖 RT 至 600°C 通过多个参考文献验证。
- 下限（RT）可避免对敏感基底（如聚合物）造成热损伤。
- 上限（600°C）符合 PECVD 的优势，即 基底温度低 与传统 CVD 相比（通常 >800°C），可降低沉积薄膜的应力。
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操作对沉积的影响
- 均匀性:专有的反应器设计可确保稳定的温度曲线，这对均匀的薄膜厚度（如 SiN 介质涂层）至关重要。
- 材料多样性:支持在 ~350°C 下沉积非晶硅（光伏）和在 600°C 附近沉积 DLC（耐磨涂层）等材料。
- 工艺灵活性:通过在生长过程中动态调整温度，实现分级沉积。
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与系统组件集成
- 真空兼容性:温度级与混合泵系统一起工作，维持 7×10-⁴ Pa 真空，防止加热过程中的污染。
- 气体处理:冷却过程中的惰性气体回充（Ar/N₂）可保护对氧化敏感的薄膜。
- 等离子耦合:射频供电的电极设计可确保等离子体在整个温度范围内保持稳定。
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特定行业的优势
- 电子产品:热敏集成电路元件上的低温 SiO₂ 绝缘层。
- 航空航天:复杂几何形状涡轮叶片上的高温 DLC 涂层。
- 汽车:用于耐用电子连接器的厚（>10 μm）金属膜（Al/Cu）。
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历史背景
- 现代 PECVD 系统源于 20 世纪 60 年代 Swann 的发现，保留了以下核心原理 射频等离子体增强沉积 但现在却能为柔性电子器件等先进应用实现精确的热控制。
该温度范围兼顾了多功能性和精确性，可满足从研发原型到大批量生产的各种需求。您的应用是否需要在两个极端之间循环，或在中间范围持续运行？
汇总表：
| 功能 | 规格 |
|---|---|
| 温度范围 | 室温 (RT) 至 600°C |
| 主要应用 | 低温敏感基底、高温薄膜致密化 |
| 均匀性 | 专有设计确保稳定的温度曲线，实现一致的涂层 |
| 材料兼容性 | 非晶硅（光伏）、DLC（耐磨涂层）、SiO₂（电子产品） |
| 真空兼容性 | 工作温度为 7×10-⁴ Pa，可防止加热过程中的污染 |
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