知识 通过 PECVD 沉积的氮化硅 (SiN) 有哪些应用?探索氮化硅在科技和生物医学中的广泛应用
作者头像

技术团队 · Kintek Furnace

更新于 3 天前

通过 PECVD 沉积的氮化硅 (SiN) 有哪些应用?探索氮化硅在科技和生物医学中的广泛应用

通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术沉积的氮化硅(SiN)是一种用途广泛的材料,由于其独特的热稳定性、机械强度、化学惰性和光学特性组合,其应用遍及多个行业。从半导体封装到生物医学设备,PECVD SiN 在现代技术中发挥着至关重要的作用。PECVD SiN 能够在相对较低的温度下形成高质量的保形薄膜,因此在传统高温 CVD 工艺不适用的应用中是不可或缺的。

要点说明:

  1. 半导体器件封装和钝化

    • PECVD SiN 可作为半导体器件的保护层,使其免受湿气和污染物等环境因素的影响。
    • 它还可作为腐蚀性元素(如钠离子)的扩散屏障,这些腐蚀性元素会降低器件的性能。
    • PECVD 的保形涂层功能可确保均匀覆盖,即使在复杂的几何形状上也是如此,因此非常适合集成电路和 MEMS 器件。
  2. 高温环境中的扩散屏障

    • SiN 的热稳定性(高达 ~1000°C)使其适用于高温应用,包括 气氛甑式炉 .
    • 它能防止半导体器件中金属和掺杂剂的相互扩散,保持电气完整性。
    • 它的机械强度(杨氏模量 ~150 GPa)可确保在热循环和机械应力下的耐用性。
  3. 生物医学设备

    • SiN 的生物相容性和化学惰性使其成为植入物和手术工具的理想材料。
    • 它的高硬度(约 19 GPa)可防止假体关节和牙科应用中的磨损。
    • PECVD 技术可在温度敏感的基底(如柔性医疗设备中使用的聚合物)上进行沉积。
  4. 光学涂层

    • SiN 具有高折射率(约 2.0),可用于防反射涂层和波导。
    • 其在可见光和近红外光谱中的透明度可用于光子设备和传感器。
    • PECVD 可实现精确的厚度控制,这对光学干涉滤波器至关重要。
  5. 工业和特殊应用

    • 由于其介电特性,可用作太阳能电池和平板显示器的绝缘层。
    • 保护恶劣环境中的敏感元件,如航空传感器。
    • 可在柔性基底上实现低温沉积,用于可穿戴电子设备。

您是否考虑过 PECVD SiN 的低温加工如何开启传统 CVD 无法实现的应用?这项悄无声息的创新在先进材料与实际制造限制之间架起了一座桥梁,塑造了从微电子到再生医学的各个行业。

总表:

应用 PECVD SiN 的主要优势
半导体封装 防潮/防污染;作为扩散屏障;保形涂层。
高温阻挡层 稳定温度可达 ~1000°C;防止金属/掺杂剂相互扩散;机械耐用。
生物医学设备 生物相容性;耐磨;可沉积在对温度敏感的基底上。
光学涂层 高折射率(~2.0);可见光/近红外透明;精确的厚度控制。
工业用途 太阳能电池的电介质;保护航空传感器;实现柔性电子产品。

利用 KINTEK 先进的解决方案,为您的实验室或生产线释放 PECVD 氮化硅的潜力。我们在高温和真空系统方面的专业技术包括 精密 PECVD 炉 确保为半导体、光学和生物医学应用提供量身定制的性能。 立即联系我们 讨论我们的定制设备如何满足您的特定需求--利用内部研发和制造实现可靠性和创新性。

您可能正在寻找的产品:

探索用于低温沉积的精密 PECVD 管式炉 了解用于过程监控的高真空观察窗 了解用于先进金刚石涂层的 MPCVD 系统 选购适用于恶劣环境的耐用真空阀

相关产品

2200 ℃ 钨真空热处理和烧结炉

2200 ℃ 钨真空热处理和烧结炉

用于高温材料加工的 2200°C 钨真空炉。精确的控制、卓越的真空度、可定制的解决方案。是研究和工业应用的理想之选。

1700℃ 实验室用高温马弗炉

1700℃ 实验室用高温马弗炉

KT-17M 马弗炉:高精度 1700°C 实验室炉,具有 PID 控制、节能和可定制的尺寸,适用于工业和研究应用。

实验室用 1800℃ 高温马弗炉炉

实验室用 1800℃ 高温马弗炉炉

KINTEK 马弗炉:用于实验室的 1800°C 精确加热。节能、可定制、带 PID 控制。是烧结、退火和研究的理想之选。

网带式可控气氛炉 惰性氮气氛炉

网带式可控气氛炉 惰性氮气氛炉

KINTEK 网带炉:用于烧结、淬火和热处理的高性能可控气氛炉。可定制、节能、精确控温。立即获取报价!

带陶瓷纤维内衬的真空热处理炉

带陶瓷纤维内衬的真空热处理炉

KINTEK 带有陶瓷纤维内衬的真空炉可提供高达 1700°C 的精确高温加工,确保热量均匀分布和能源效率。是实验室和生产的理想之选。

9MPa 空气压力真空热处理和烧结炉

9MPa 空气压力真空热处理和烧结炉

利用 KINTEK 先进的气压烧结炉实现卓越的陶瓷致密化。高压可达 9MPa,2200℃ 精确控制。

带真空站 CVD 设备的分室式 CVD 管式炉

带真空站 CVD 设备的分室式 CVD 管式炉

带真空站的分室 CVD 管式炉 - 用于先进材料研究的高精度 1200°C 实验室炉。可提供定制解决方案。

用于实验室排胶和预烧结的高温马弗炉

用于实验室排胶和预烧结的高温马弗炉

用于陶瓷的 KT-MD 型排胶和预烧结炉 - 温度控制精确、设计节能、尺寸可定制。立即提高您的实验室效率!

真空热处理烧结炉 钼丝真空烧结炉

真空热处理烧结炉 钼丝真空烧结炉

KINTEK 的真空钼丝烧结炉在高温、高真空烧结、退火和材料研究过程中表现出色。实现 1700°C 精确加热,效果均匀一致。可提供定制解决方案。

2200 ℃ 石墨真空热处理炉

2200 ℃ 石墨真空热处理炉

2200℃ 高温烧结石墨真空炉。精确的 PID 控制,6*10³Pa 真空,耐用的石墨加热装置。是研究和生产的理想之选。

倾斜旋转式等离子体增强化学沉积 PECVD 管式炉设备

倾斜旋转式等离子体增强化学沉积 PECVD 管式炉设备

用于精确薄膜沉积的先进 PECVD 管式炉。均匀加热、射频等离子源、可定制的气体控制。是半导体研究的理想之选。

倾斜旋转式等离子体增强化学沉积 PECVD 管式炉设备

倾斜旋转式等离子体增强化学沉积 PECVD 管式炉设备

KINTEK 的 PECVD 涂层设备可在低温下为 LED、太阳能电池和 MEMS 提供精密薄膜。可定制的高性能解决方案。

小型真空热处理和钨丝烧结炉

小型真空热处理和钨丝烧结炉

实验室用紧凑型真空钨丝烧结炉。精确的移动式设计,具有出色的真空完整性。是先进材料研究的理想之选。请联系我们!

915MHz MPCVD 金刚石机 微波等离子体化学气相沉积系统反应器

915MHz MPCVD 金刚石机 微波等离子体化学气相沉积系统反应器

KINTEK MPCVD 金刚石设备:采用先进的 MPCVD 技术合成高品质金刚石。生长速度更快、纯度更高、可定制选项。立即提高产量!

带变压器的椅旁牙科氧化锆瓷烧结炉,用于陶瓷修复体

带变压器的椅旁牙科氧化锆瓷烧结炉,用于陶瓷修复体

牙科烤瓷快速烧结炉:9 分钟快速烧结氧化锆,1530°C 精确度,SiC 加热器适用于牙科实验室。立即提高生产率!

立式实验室石英管炉 管式炉

立式实验室石英管炉 管式炉

精密 KINTEK 立式管式炉:1800℃ 加热,PID 控制,可为实验室定制。是 CVD、晶体生长和材料测试的理想之选。

用于真空烧结的带压真空热处理烧结炉

用于真空烧结的带压真空热处理烧结炉

KINTEK 的真空压力烧结炉为陶瓷、金属和复合材料提供 2100℃的精度。可定制、高性能、无污染。立即获取报价!

实验室真空倾斜旋转管式炉 旋转管式炉

实验室真空倾斜旋转管式炉 旋转管式炉

KINTEK 实验室旋转炉:用于煅烧、干燥和烧结的精密加热装置。可定制的真空和可控气氛解决方案。立即提升研究水平!

射频 PECVD 系统 射频等离子体增强化学气相沉积技术

射频 PECVD 系统 射频等离子体增强化学气相沉积技术

KINTEK 射频 PECVD 系统:用于半导体、光学和微机电系统的精密薄膜沉积。自动化、低温工艺,薄膜质量上乘。可提供定制解决方案。

真空热处理烧结和钎焊炉

真空热处理烧结和钎焊炉

KINTEK 真空钎焊炉通过出色的温度控制实现精密、清洁的接头。可为各种金属定制,是航空航天、医疗和热应用的理想之选。获取报价!


留下您的留言